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제타전위에 의한 실리콘 반도체 경계면에서 전기 이중층 해석
An analysis of electrical double layers at the silicon semi- conductor interfaces using the zeta potential 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 광운대학교
Kwangwoon University
연구책임자 천장호
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1986-09
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 광운대학교
Kwangwoon University
등록번호 TRKO200200012624
DB 구축일자 2013-04-18

초록

pleskov 를 비롯한 많은 반도체 물리화학자들이 지적한 바와 같이 반도체재료에 비하여 많은 장점들을 지니고 있다. 또한 반도체-전하액접촉 경계면에서도 반도체-반도체접촉 경계면에서와 같은 유사한 pn접합효과를 가졌으며 빛에너지를 화학적 에너지로 변환 시킬 수 있다. 따라서 반도체=전하액접촉 경계면에서의 전기효과는 콜로이드 및 경계면 과학분야의 중요한 부분이 되어왔다. 그러나 반도체-전하액 접촉 경계면 현상을 규명하기 위한 극소전기영동 응용을 거의 학회 및 학술지에 보고 되지않고 있는 실정이다. 따라서 본 연구에서는 극소전기영동

Abstract

As Pleskov et al. pointed out, semiconductor materials have many excellent advantages to metals. Also semiconductor-electrolyte solution interfaces have pn junction effects similar to semiconductor-semiconductor interfaces and could be used to convert the energy of light into chemical energy. Thus,

목차 Contents

  • 1. 연구 개요...7
  • 1.1. 연구 배경...7
  • 1.2. 연구 내용 및 목적...7
  • 2. 반도체 입자 - 전해액 접촉 경계면의 전기물리적 현상...8
  • 2.1. 공간 전하층과 전기이중층...8
  • 2.2. 제타 전위...10
  • 3. 반도체 시료 및 실험 방법...11
  • 3.1. 반도체시료 및 용액...11
  • 3.2. 극소 전기영동 측정...11
  • 4. 실험 결과...11
  • 5. 제타전위 고찰...14
  • 6. 결 론...16

참고문헌 (25)

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