초록 ▼

VLSI, ULSI 시대가 도래함에 따라 Poly-Si의 높은 저항값으로 인한 RC delay의 증가는 device 수행능력의 제한요소로서 작용하게 되었다. 따라서 낮은 저항값을 갖고 고온에서 안정하며 화학적으로 매우 안정한 특성을 갖는 refractory metal silicide에 관심이 집중하게 되었으며 이러한 특성들은 refractory metal silicide가 VLSI, ULSI의 gate와 interconnection 재료로서 응용가능성을 제시하고 있다. 특히, Tantalum silicide는 다른 refract

VLSI, ULSI 시대가 도래함에 따라 Poly-Si의 높은 저항값으로 인한 RC delay의 증가는 device 수행능력의 제한요소로서 작용하게 되었다. 따라서 낮은 저항값을 갖고 고온에서 안정하며 화학적으로 매우 안정한 특성을 갖는 refractory metal silicide에 관심이 집중하게 되었으며 이러한 특성들은 refractory metal silicide가 VLSI, ULSI의 gate와 interconnection 재료로서 응용가능성을 제시하고 있다. 특히, Tantalum silicide는 다른 refractory metal silicide보다 우수한 열적안정성과 화학적 안정성을 가지고 있다. 그러므로 이번 연구에서 polycide 구조 (silicide/poly-si/SiO?/Si)를 갖는 Tantalem silicide의 형성(by RTA)에 대한 고찰과 RTA시 poly silicon 내에 존재하는 dopant P의 out-diffusion에 대하여 관찰하였다. 형성된 Ta-silicide film의 특성은 XRD, Sheet resistance measurement, AES, SEM, ESCA, RBS를 사용하여 관찰하였다.

Abstract ▼

Ta-silicide films were prepared by rapid thermal annealing of sputtered Ta film on poly-Si and doped poly-Si. Properties of Ta-silicide films were investigated by using XRD, sheet resistance measurement, AES, SEM, ESCA, SIMS, RBS. Independent of doping, Ta-silicide films are formed at 800℃ and sta

Ta-silicide films were prepared by rapid thermal annealing of sputtered Ta film on poly-Si and doped poly-Si. Properties of Ta-silicide films were investigated by using XRD, sheet resistance measurement, AES, SEM, ESCA, SIMS, RBS. Independent of doping, Ta-silicide films are formed at 800℃ and stabilized above 1000℃. The sheet resistance of Ta-silicide films are 2.7Ω/□ in TaSi?/undoped poly-Si and 2.5Ω/□ ∼ 2.77Ω/□ in TaSi?/doped poly-Si. During silicide formation, dopants diffused from poly-Si. During silicide formation, dopants diffused from poly-Si. During silicide formation, dopants diffused from poly-Si into silicide. At high temperature(1000℃), the variation of doping concentration from 1E13 to 5E15 did not greatly affect the formation of Ta-silicide. But ,at low temperature, the increasing of doping concentration retards slightly silicidation rate.

목차 Contents

• 목차...5
• 1. 연구제목...6
• 2. 연구목적 내용 및 방법...7
• 2.1 연구 목적...7
• 2.1.1 Annealing 조건에 따른 silicidation...15
• 2.1.2 Ta-Si 의 확산현상...15
• 2.1.3 dopant 거동관찰 및 제반 특성 관찰...16
• 2.2 내용...16
• 2.2.1 doping 되지 않은 poly-Si 기판에서의 silicide 형성...17
• 2.2.2 doping 된 poly-Si 기판에서의 silicide 형성...18
• 2.3 방법...19
• 2.3.1 doping 되지 않은 poly-Si 기판에서의 silicide 형성...19
• 2.3.2 doping 된 poly-Si 기판에서의 silicide 형성...21
• 3. 연구계획 대 진도...23
• 4. 연구결과 및 고찰...25
• 4.1 doping 되지 않은 poly-Si 기판에서의 silicide 형성...25
• 4.1.1 Anealing 조건에 따른 silicidation...25
• 4.1.2 Ta-Si 의 확산현상...28
• 4.2 doping 된 poly-Si 기판에서의 silicide 형성...56
• 4.2.1 Anealing 조건에 따른 silicidation...56
• 4.2.2 Ta-Si 의 확산현상...59
• 5. 결론...86
• 6. 참고문헌...87
• 7. 논문발표실적 또는 계획...88
• 8. 학위 배출실적...88