초록 ▼

Te 용융법으로 IIb-VIb족 화합물 반도체인 ZnSe에 동족 불순물을 첨가하여 광학적 특성을 조사하였다. 조성비 x가 1%미만인 시료와 2%인 시료에 대하여 PL(photoluminescence)측정을 한 결과 전자의 경우 free exciton과 2.7eB에 위치한 FWHM(full width at half maximum)이 166meV인 폭이 넓은 청색밴드를 관측하였다. 두 밴드의 발광근원은 각각 단일 Te(Te?)과 Te cluster(Te(sub)(n))에 의한 것으로 exciton이 국소적으로 격자왜곡(latti

Te 용융법으로 IIb-VIb족 화합물 반도체인 ZnSe에 동족 불순물을 첨가하여 광학적 특성을 조사하였다. 조성비 x가 1%미만인 시료와 2%인 시료에 대하여 PL(photoluminescence)측정을 한 결과 전자의 경우 free exciton과 2.7eB에 위치한 FWHM(full width at half maximum)이 166meV인 폭이 넓은 청색밴드를 관측하였다. 두 밴드의 발광근원은 각각 단일 Te(Te?)과 Te cluster(Te(sub)(n))에 의한 것으로 exciton이 국소적으로 격자왜곡(lattice distortion)된 동족 불순불 Te에 포획되어 중간정도의 exciton-포는 상호작용에 의해 발광밴드의 발광세기가 증대하고 폭이 넓게 된 것으로 설명하였다.

Abstract ▼

Isoelectronic tellurium doped ZnSe crystals were studied by photoluminescence emission and excitation spectroscopy. The investigated tellurium doped ZnSe crystals were prepared by the tellurium melt method using evacuated quartz ampoules. In slightly tellurium doped specimens (X<1%) we observed a

Isoelectronic tellurium doped ZnSe crystals were studied by photoluminescence emission and excitation spectroscopy. The investigated tellurium doped ZnSe crystals were prepared by the tellurium melt method using evacuated quartz ampoules. In slightly tellurium doped specimens (X<1%) we observed a free exciton peak at 2.794 eV and a broad emission band having phonon structure at 2.65 eV. In rather heavily tellurium doped specimens (X-2%) a broad featureless band at 2.46 eV appeared. The two observed broad bands with very high efficiency can be ascribed to the radiative annihilation of excitons caused by isolated tellurium and tellurium clusters, respectively. And the broadness of these two bands can be ascribed to intermediate exciton-phonon coupling due to the local lattice distortion at tellurium sites. In the photoluminescence excitation measurements of isolated tellurium bands, free exciton and unidentified peaks were observed. For the tellurium cluster band we observed a large Stokes shi M (-170 meV). On the basis of experimental results we discuss the luminescence centers in terms of the configuraltion-coordinate model.

목차 Contents

• 제 1 장 서 론...8
• 제 2 장 이 론...10
• 제 1 절 ZnSe의 물리적 특성...10
• 제 2 절 배치좌표 모델 (Configuration-Coordinate model)...15
• 제 3 절 동족 불순물 첨가효과...19
• 제 4 절 ZnSe$_{1-x}$- Tex...21
• 제 3 장 실 험...24
• 제 1 절 시료준비...24
• 제 2 절 Photoluminescence(PL) 및 Photoluminescence excitation(PLE)...27
• 제 4 장 결과 및 논의...30
• 제 1 절 Photoluminescence 스펙트럼...30
• 제 2 절 Photoluminescence excitation 스펙트럼...46
• 제 3 절 Te$_1$ 및 Te$_n$ 의 배치좌표 모델...50
• 제 5 장 결론 및 요약...53
• 참 고 문 헌...55