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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국원자력연구원 Korea Atomic Energy Research Institute |
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연구책임자 | 하장호 |
참여연구자 | 김한수 , 이규홍 , 김영수 , 민병주 , 여순목 , 차형기 , 김홍우 , 이재형 , 최효정 , 이승현 , 나원경 , 최용 , 김상수 , 신한백 |
보고서유형 | 1단계보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2012-07 |
과제시작연도 | 2011 |
주관부처 | 교육과학기술부 Ministry of Education and Science Technology(MEST) |
등록번호 | TRKO201700009283 |
과제고유번호 | 1345152944 |
사업명 | 방사선기술개발 |
DB 구축일자 | 2017-10-21 |
키워드 | 화합물 반도체.상온반도체.CdZnTe.단결정 성장.반도체 공정.Compound semiconductor.Room Temp. semiconductor.CdZnTe.Single Crystal Growth.semiconductor process. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201700009283 |
1. 연구개발목표 및 내용
○ 2“급 Cd(Zn)Te 단결정 성장 및 8X8 픽셀급 센서 제작 기술 개발
- 2“급 감마선 분광용 II-VI족 화합물 반도체 단결정 성장 기술 개발
- 64 픽셀급 화합물 반도체 감마선 영상 센서 모듈 설계 및 제작 기술 개발
- 64 픽셀급 동시다중 감마선 고속 신호처리 모듈 개발
2. 연구결과
○ 방사선 센서용 II-VI족 화합물 반도체 단결정은 우주 망원경 등 국가 전략물자로 통제를 받고 있는 물질로 감마선 센서용 단결정 제조 기술 개발
○ 기존 섬광체와 G
○ Conventional scintillator and Ge detector that overcomes the limitations of single-crystal growth and 8X8 pixellated CdZnTe radiation image sensor production technology development
○ 64 pixellated compound semiconductor gamma-ray image sensor module design and manufacturing technology developme
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