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NTIS 바로가기주관연구기관 | 충북대학교 Chungbuk National University |
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연구책임자 | 이형규 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1997-04 |
주관부처 | 과학기술부 |
과제관리전문기관 | 충북대학교 Chungbuk National University |
등록번호 | TRKO200200016386 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | GaN.InGaN.photoluminescence(PL).MOCVD.표면발진.측면발진.청색발광 소자.GaN.InGaN.photoluminescence(PL).MOCVD.surface emission.edge emission.hlue light emission. |
MOCVD 방법에 의하여 sapphire 기판 위에 수평형, 저압 반응기에서 GaN, InGaN 층을 성장하였다. 최적의 조건에서 성장된 도우핑 되지 않은 GaN 에피층의 잔류 전자밀도는 질소 vacancy에 의해 나타나서 ∼5x1017 cm-3, 전자 이동도 120㎠/Vsec 값을 보였다. 표면은 현미경적 조직이 전혀 관찰되지 않는 거울 면의 평평하였다. 이러한 조건으로 성장된 GaN 에피층 위에 In의 양이 x = 0.08 - 0.20 인In(x)Ga(1-x)N 에피층을 GaN 위에 성장하여
We have successfully grown high quality GaN, InGaN epitaxiallayers on sapphire substrate utilizing a horizontal, low pressure MOCVD system.Under the optimal growth conditions, the undoped GaN layers have shown the background carrier concentrations of 5x1017/㎤ and the electron mobility
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