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NTIS 바로가기주관연구기관 | 명지대학교 MyongJi University |
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연구책임자 | 정윤중 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1993-02 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 명지대학교 MyongJi University |
등록번호 | TRKO200200016524 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | Reaction-Bonded Sintering.Infiltration.IFG(Intergranular Fine Grained) B-SiC.Titanium Silicide(TiSi2).Si-Ti system.Reaction-Bonded Sintering.Infiltration.IFG(Intergranular Fine Grained) B-SiC.Titanium Silicide(TiSi2).Si-Ti system. |
SiC 복합체의 제조를 위해 SiC-C-Si (Ti)계에 대해 titanium 의 량을 변화시키면서 반응결합의 특성을 조사하였다. α-SiC + C 의 preform 내에 titanium을 첨가하거나 silicon을 titanium으로 치환하여 direct infitration 시켰을 경우 모두 silicon과 graphite 와의 반응으로 인한 미립의 β-SiC가 출발 원료인 α-SiC 입자들 사이에서 형성되고 있음을 알 수 있었다. 또한 이와 동시에 titanium silicide (TiSi?)가 isolated pock
For the preparation of SiC composite, the properties of reaction-bonded sintering in the system SiC-C-Si(Ti) with the titanium contents variation were investigated. Either the case of titanium additions or the case of direct infiltration of titanium in SiC + C preform, the newly formed fine-graine
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