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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 한철희 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1994-02 |
주관부처 | 과학기술부 |
과제관리전문기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
등록번호 | TRKO200200016569 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 다결정 실리콘 박막 트랜지스타.누설 전류.Polysilicon thin film transistor.leakage current. |
다결정 실리콘 박막 트랜지스타의 기존의 누설 전류 메카니즘에 대하여 낮은 전압 영역으로 나누어 분석 검토 하였다. 다결정 박막 트랜지스타의 누설 전류 특성을 성분별로 분석하고, 누설전류의 온도 및 인가 전압에 따른 영향을 분석하고 누설 전류 모델을 세웠다. 다결정 박막 트랜지스타를 고온 공정 (900 ℃) 및 저온 공정 (600 ℃)으로 제작하였다. 처음에 실리콘 기판 위에 열산화막을 기른 다음 비결정 실리콘을 기상법으로 도포하고, 고상 재결정화법으로 600℃ 에서 다결정화 하였다. 이 다결정 실리콘은 Poly-TFT 의 활성층으로
Previous leakage current mechanisms of polysilicon thin film transistors (poly-TFTs) are analyzed and discussed for two operation voltage regions : low and high voltage regions. The leakage currents are investigated for several components, analyzed for the effects of temperature and applied voltages
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