초록 ▼

다결정 실리콘 박막 트랜지스타의 기존의 누설 전류 메카니즘에 대하여 낮은 전압 영역으로 나누어 분석 검토 하였다. 다결정 박막 트랜지스타의 누설 전류 특성을 성분별로 분석하고, 누설전류의 온도 및 인가 전압에 따른 영향을 분석하고 누설 전류 모델을 세웠다. 다결정 박막 트랜지스타를 고온 공정 (900 ℃) 및 저온 공정 (600 ℃)으로 제작하였다. 처음에 실리콘 기판 위에 열산화막을 기른 다음 비결정 실리콘을 기상법으로 도포하고, 고상 재결정화법으로 600℃ 에서 다결정화 하였다. 이 다결정 실리콘은 Poly-TFT 의 활성층으로

다결정 실리콘 박막 트랜지스타의 기존의 누설 전류 메카니즘에 대하여 낮은 전압 영역으로 나누어 분석 검토 하였다. 다결정 박막 트랜지스타의 누설 전류 특성을 성분별로 분석하고, 누설전류의 온도 및 인가 전압에 따른 영향을 분석하고 누설 전류 모델을 세웠다. 다결정 박막 트랜지스타를 고온 공정 (900 ℃) 및 저온 공정 (600 ℃)으로 제작하였다. 처음에 실리콘 기판 위에 열산화막을 기른 다음 비결정 실리콘을 기상법으로 도포하고, 고상 재결정화법으로 600℃ 에서 다결정화 하였다. 이 다결정 실리콘은 Poly-TFT 의 활성층으로 이용된다. 제작된 다결정 박막 트랜지스타의 전류-전압 특성을 측정하고, 박막 특성과 전류 전압 특성 특히 누설 전류 특성과의 연관성을 조사하고, 280˚K 에서 360˚K 의 온도 에서 전압 특성을 측정하여 누설 전류 메카니즘을 설명하였다. off 상태 stres를 가할때 누설 전류 특성이 개선되는 현상을 다결정 박막 트랜지스타의 특성 측정을 통하여 확인하고, 누설전류 개선 공정을 검토 하였다.

Abstract ▼

Previous leakage current mechanisms of polysilicon thin film transistors (poly-TFTs) are analyzed and discussed for two operation voltage regions : low and high voltage regions. The leakage currents are investigated for several components, analyzed for the effects of temperature and applied voltages

Previous leakage current mechanisms of polysilicon thin film transistors (poly-TFTs) are analyzed and discussed for two operation voltage regions : low and high voltage regions. The leakage currents are investigated for several components, analyzed for the effects of temperature and applied voltages and finally modeled. Poly-TFTs were fabricated by high temperature process ( >900℃) and low temperature process ( < 600℃). Initially, thermal oxide was grown on Si wafers. Then, a-Si was deposited by low pressure chemical vapor deposition and subsequenly recrystallized by solid phase recrystallization. The polysilicon films were used as an active channel of poly-TFTs. The I-V characteristics of poly-TFTs are measured and investigated about the correlation of thin film properties and leakage current characteristics. The temperature dependence of the leakage current is also analyzed to find the leakage current mechanisms in the temperature range of 280˚K. The leakage cureent is found to be reduced by off-state stress. which is confirmed experimentally and to be utilized to improve the leakage current characteristics.

목차 Contents

• 1장 서 론...7
• 2장 기존의 누설전류 모델...9
• 2-1 낮은 전압에서 누설전류 모델...9
• 2-2 높은 전압에서 누설전류 모델...12
• 2-3 단 채널...15
• 3장 poly-TFT 제작 및 누설전류 특성...24
• 4장 누설전류 모델...36
• 4-1 누설전류 특성 해석 및 모델...36
• 4-2 누설전류 온도 특성...43
• 4-3 누설전류 메카니즘 검토...44
• 5장 Off state stress가 누설전류에 미치는 영향...61
• 6장 결 론...70