초록 ▼

전자선 조사를 이용한 CaF? 박막의 fine patterning resolution을 더욱 향상시키기 위하여 (100)Si 기판상에 CaF? epitaxial 박막을 성장하고 원자 level 로 평탄한 CaF?극박막을 형성하는데 그 목표를 두고 있다. 본 연구에서는 진공 증착법을 이용하여 stoichiometry를 만족시키는 양질의 CaF?박막을 성장전 기판의 열처리, 성장시 기판 온도 , 성장속도, RTA등의 parameter를 변화시켜 성장하였으며, 박막의 결정성과 막질 평가는 X-Ray diffractometer, RHEE

전자선 조사를 이용한 CaF? 박막의 fine patterning resolution을 더욱 향상시키기 위하여 (100)Si 기판상에 CaF? epitaxial 박막을 성장하고 원자 level 로 평탄한 CaF?극박막을 형성하는데 그 목표를 두고 있다. 본 연구에서는 진공 증착법을 이용하여 stoichiometry를 만족시키는 양질의 CaF?박막을 성장전 기판의 열처리, 성장시 기판 온도 , 성장속도, RTA등의 parameter를 변화시켜 성장하였으며, 박막의 결정성과 막질 평가는 X-Ray diffractometer, RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction)를 이용하여 분석하였다. 또한 , 형성된 단결정 CaF? 박막 표면의 (111) facet의 평탄화 뿐만아니라, non-ideal 성장조건에서 성장한 다결정 박막의 평탄화에 대한 RTA(Rapid Thermal Annealing)의 유용성에 대한 연구를 수행하였다. 그리고, 형성된 CaF? 박막의 표면 평탄성은 광학 현미경을 이용하여 관찰하였다.

Abstract ▼

In this work, CaF? epitaxial single crystal films were grown onto the (100)-oriented Si substrate to be utilized as an e-beam resist material for ultra fine patterning. Optimum growth condition of single crystal CaF? epitaxial thin film was founded to be 600℃ at a rate of 2㎚/min. The crystallity a

In this work, CaF? epitaxial single crystal films were grown onto the (100)-oriented Si substrate to be utilized as an e-beam resist material for ultra fine patterning. Optimum growth condition of single crystal CaF? epitaxial thin film was founded to be 600℃ at a rate of 2㎚/min. The crystallity and crystalline quality were characterized by X-Ray spectra and RHEED pattern. For ultra-fine patterning, flattening of single crystal (111) facet and polycrystal was examined y RTA method. The surface mophology of the samples was observed using a optical microscope. As a result, the effectiveness of RTA method for flattening was confirmed by X-ray spectra, RHEED pattern and optical micrographs observations. Moreover, it is found that RTA method is useful for recrystalliziang of CaF? thin films grown at the non-ideal growth conditions.

목차 Contents

• 1. 연구 목적 ... 6
• 2. 연구 내용 ... 6
• 2.1 CaF$_2$ epitaxy 성장법의 선택. ... 6
• 2.2 CaF$_2$ 박막 성장 장치의 구성. ... 9
• 2.3 CaF$_2$ 성장 공정. ... 10
• 3. 연구 결과 ... 14
• 3.1 기관온도의 변화에 따른 CaF$_2$ 박막 특성. ... 14
• 3.2 성장속도에 따른 CaF$_2$ 박막 특성. ... 24
• 3.3 고속 열처리에 관한 연구. ... 27
• 4. 결론. ... 38
• 5. references ... 39