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NTIS 바로가기주관연구기관 | 홍익대학교 Hongik University |
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연구책임자 | 최진영 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1997-04 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 홍익대학교 Hongik University |
등록번호 | TRKO200200017337 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | VLSI.정전기 방전.MOS 트랜지스터.2차 항복.소자 시뮬레이션.혼합모드 시뮬레이션.열발생 분석.VLSI.Electrostatic Discharge.MOS Transistor.2nd Breakdown.Device Simulation.Mixed-mode Simulation.Electro-thermal Simulation. |
VLSI 기술이 급속도로 발전함에 따라서 보다 심각히 문제시되고 있는 정전기 방전 (Electrostatic Discharge : ESD) 현상에 관하여 2차원 소자 시뮬레이터를이용한 분석을 시도하였다. 소자 시뮬레이션을 이용한 분석 방법은 실제 측정만으로는 알수 없는 방전시 소자내의 상태 변화를 조사하는데 효율적인 방법이다. 우선 정전기의 방전유형에 따른 인체모델(Huam Body Model)과 기계모델(Machine Model), 그리고 충전소자모델(Charged Device Model)의 테스트 방법과 해당 방전 경
Using a 2-dimensional device simulator, we investigated theelectrostatic discharge (ESD) phenomenon which becomes increasingly important asVLSI process technology advances. The analysis based on 2-dimensional devicesimulators is an effective approach to investigate the charac
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