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NTIS 바로가기주관연구기관 | 동의과학대학교 Dong Eui Institute of Technology |
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연구책임자 | 이용재 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1996-04 |
주관부처 | 과학기술부 |
과제관리전문기관 | 동의대학교 Dong-Eui University |
등록번호 | TRKO200200017356 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 게이트 유기 드레인 누설(GIDL) 전류.열화.신뢰성.스트레스.이동도.전달 컨덕턴스.임계 전압.게이트 전류.부임계 전류 기울기.Gate Induced Drain Leakage(GIDL) Current.Degradation.Reliabily.Stress.Mobility.Trans-Conductance.Threshold Voltage.Gate Current.Subthreshold Current slope. |
최근, 게이트 유기 드레인 누설 전류는 수용 전력 공급 전압과 산화막의 더 진전된 스켈링에 결정적인 제한을 부과하는것으로 나타난다. 한편으로 핫 캐리어 효과는 상당히 차단 상태 드레인 누설 전류 Idl을 증가 시킬수 있으며, 주요 소자 신뢰성의 관심에도 관련되어 있다. 스트레스 무인가의 p-MOSSET에서 게이트 유기 드레인누설(GIDL) 전류는 드레인 누설 전류Idl의 표면 전장을 변경 시키기 때문에 핫 캐리어 스트래스는 또한 드레인 누설 전도 메카니즘을 바꾸며, 드레닝 누설 전류 Idl의 증가에서 게이트유기된 고전
Recently, the phenomenon of Gate Induced DrainLeaksge(GIDL) current has been shown to impose a crucial constraint on further scalingof the oxide thickness and/or acceptable power supply voltage. On the other hand,the hot carrier effect constitutes a major device reliability concern and ca
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