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NTIS 바로가기주관연구기관 | 인하대학교 InHa University |
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연구책임자 | 탁용석 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1997-04 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 인하대학교 InHa University |
등록번호 | TRKO200200020565 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 알루미늄.핏팅부식.전기화학적 에칭.부동태 산화피막.환원분극.정전용량.주파수.Aluminum.Pitting corrosion.electrochemical etching.Passive oxide film.Cathodic polarization.Capacitance.Frequency. |
알루미늄의 에칭은 부식현상을 이용하여 표면에 핏트를 형성함으로서 전극면적을 증가시켜 알루미늄 전해커패시터의 양극제조에 이용되고 있다. 최근에 전자제품이 경박단소화됨에 따라서 커패시터의 정전용량을 최대화할 필요성이 증대되고 있으며, 이는 전극 표면적의 증가에 의하여 가능하다. 알루미늄 표면에 존재하는 산화피막은 알루미늄 금속이 접하고 있는 환경과의 점촉을 차단함으로서 금속을 보호하는 기능을 지니고있다. 그러나 염소이온과 같은 공격적인 이온과 점촉하였을 때 피막의 일부는 파괴되어 알루미늄은 국부적으로 용액내에 용출되며, 그
Aluminum etching has been used to manufacture an anode inaluminum electrolytic capacitors, and its main purpose is to increase the surface area byroughing the surface. Present trends in electronics require to minimize the size andthickness and it demands the large electrode area in capac
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