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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 김도경 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1998-04 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
등록번호 | TRKO200200020757 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 질화규소.마이크로파.소결.Silicon Nitride.Microwave.Sintering. |
본 연구는 마이크로웨이브를 열원으로 이용하여 질화규소를 소결함에 있어서 마이크로웨이브 가열이 질화규소의 치밀화와 상전이에 미치는 영향을 규명하는것이다. 이를 위해서 안정적인 마이크로웨이브 소결 조건을 제공하는 insulation box를 고안하였으며, 마이크로웨이브 소결과 동일한 소결조건에서 일반 상압 소결을 행하여 비교하였다.알루미나와 이트리아를 소결조제로 첨가한 질화규소를 소결하여 비교한 결과, 마이크로웨이브 소결한 경우, 일반 상압 소결에 비해 치밀화와 상전이가 저온에서 이루어지는 마이크로웨이브 가열의 효과가 나타났다
In this study, silicon nitride doped with Al2O3 and Y2O3 wassintered by microwave heating in a multimode cylindrical cavity applicator operating at2.45 GHz. For comparison, conventional pressureless sintering was performed using thesame sintering schedule, and then the effect of microwave heati
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