최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기주관연구기관 | 전남대학교 Chonnam National University |
---|---|
연구책임자 | 한종수 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1998-04 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 전남대학교 Chonnam National University |
등록번호 | TRKO200200021014 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 광탈착.산화아연.전압-전류 특성.산소 흡착.반도체-반도체 접촉.Photodesorption.ZnO.V-I Characteristics.Semiconductor.Semiconductor contact.Adsorption of oxygen.surface barrier deplation layer. |
본 연구는 산화아연에서 산소의 흡착을 추적할 수 있을 새로운실험 방법을 개발하고 산소의 광탈착의 초기 과정을 이해하는 데 그 목적이 있다.본 연구에서는 같은 고갈층을 가지고 있는 두 반도체 면의 기계적으로 접촉에 관한 물리적 이론이 전개되었다. 그 이론에 의하면 접촉된 두 반도체간의 바이어스 전압이 어떤범위 안에 있을 때 그 반도체의 두 고갈층의 깊이의 합은 변하지 않으며, 접촉을 흐르는 전류는 바이어스 전압이 표면 장벽 높이의 4 배가 될 때 변곡을 보인다. 따라서, 접촉의 축전용량과 V-I 특성으로부터 각각 표면의 흡
The purpose of this study is a development of newexperimental method which can trace the adsorption of oxygen on ZnO and anunderstanding of the initial process of the photodesorption of oxygen.In this study, a physical theory on the mechanical contact of two semiconductorsurfaces
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.