초록

본 연구의 목표는 Ⅲ-Ⅴ 질화물을 이용하여 매우 극단적인 열악한 환경에서 동작을 하는 광전기소자와 가시-자외선영역의 발광다이오드와 레이저의 응용을 위한 물리적 특성의 이해와 기술의 개발에 있다. 연구 범위는 다음과 같다. (1) 낮은 배경 전자 농도, 큰 이동도, 좋은 결정성을 가진 매우 좋은 고품질의 물질을 개발하는 결 정성장 기술의 개발 (2) 결함과 불순물 및 그것들이 광학적 전기적 특성에 미치는 영향 연구 (3) 청색/자외선 발광다이오드와 레이저 다이오드의 개발 (4) GaN FETs 개발

Abstract ▼

The project aims at understanding physical properties and development of technology for the applications toward visible-UV light emitters and laser diode as well as electronic and opto-electronic devices operating in hostile environments under extreme conditions, using Ⅲ-Ⅴ nitrides. It includes fol

The project aims at understanding physical properties and development of technology for the applications toward visible-UV light emitters and laser diode as well as electronic and opto-electronic devices operating in hostile environments under extreme conditions, using Ⅲ-Ⅴ nitrides. It includes followings. (1) Development of the crystal growth technique to produce high quality material which has low background electron concentration, large mobility, excellent crystallinity, etc. (2) Identification of defects and impurities and their role in the optical and electrical properties. (3) Fabrication of blue/UV laser diode and light emitting diode with CW operation. (4) Development of GaN FETs.

목차 Contents

• 제 1 장 서론...13
• 제 1 절 연구개발의 필요성...13
• 제 2 절 연구개발의 목적 및 내용...16
• 제 2 장 국내·외 기술개발 현황...17
• 제 1 절 국내·외 기술개발 현황...17
• 제 2 절 본 연구결과가 국내·외 기술개발 현황에서 차지하는 위치...21
• 제 3 절 현 기술상태의 취약성 및 앞으로의 전망...21
• 제 3 장 연구개발수행 내용 및 결과...23
• 제 1 절 GaN 박막 성장 및 특성...23
• 제 2 절 InGaN 박막과 InGaN/GaN 양자우물구조의 성장과 특성...36
• 제 3 절 SiC 박막의 성장 및 특성...56
• 제 4 절 Mg과 Co-doped p형 GaN와 p형 AlGaN 의 특성...83
• 제 5 절 도핑($10^{16}-10^{17}$/㎤)이 낮은 AlGaN/GaN Heterostructure 기판의 Ohmic 접합연구...105
• 제 6 절 발광 다이오드 성장과 특성...108
• 제 7 절 청자색 반도체레이저의 성장을 위한 기초 연구...114
• 제 4 장 연구개발목표 달성도 및 대외기여도...124
• 제 1 절 연구개발목표 달성도...124
• 제 2 절 연구개발의 대외기여도...125
• 제 5 장 연구개발결과의 활용계획...126
• 제 6 장 참고문헌...127