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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국생산기술연구원 Korea Institute of Industrial Technology |
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연구책임자 | 송창섭 |
참여연구자 | 이용수 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1992-11 |
주관부처 | 국무조정실 |
사업 관리 기관 | 한국생산기술연구원 Korea Institute of Industrial Technology |
등록번호 | TRKO200200054626 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
반도체 압력센서는 실리콘의 우수한 기계적 성질과 압저항 효과를 이용하여 압력 변화를 전기적 저항의 변화로 검출하는 장치이다. 이 압력센서용 실리콘 정사각형 다이아프램에 균일분포압력(작용압)을 가하여 3차원 응력 해석과 변형량을 해석하고 저항체 식각이 있을 부위의 저항변화율을 해석하였다. 이 해석은 실리콘 다이아프램의 설계파라미터인 정사각형의 한 변의 길이(a), 두께(t), 작용압(p)등을 변화시켜 가면서 수행하였다. 실리콘 다이아프램의 압저항해석을 위한 해석적 방법으로는 FEM 해석(Finite Element Method)을 사
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