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NTIS 바로가기주관연구기관 | 목포대학교 Mokpo University |
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연구책임자 | 박혁렬 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1996-04 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 목포대학교 Mokpo University |
등록번호 | TRKO200200058172 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 비정질 실리콘.박막트랜지스터.광조사.바이어스 스트레스.불안정성.특성곡선.임계전압.체적상태.경계면상태.결함밀도 CPM.amorphous silicon.thin flim transistor.light soaking.bias stress.instability.characteristic curve.threshold voltage.bulk state.interface state.defect density.constant photocurrent method. |
비정질 실리콘 박막의 경우 광조사, 급냉등에 의해 박막의 물리적성질이 저하되는 불안정성을 보이고 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 경우는 게이트에 긴시간의 전압인가(바이아스 스트레스)후에 트랜지스터 특성곡선의 임계전압이나 기울기가 변화하는 불안정성을 보인다. 비정질 실리콘 트랜지스터에 있어서의 불안정성은 액정표시기의 스위칭소자로서 비정질실리콘 트랜지스터가 사용됨에 따라 그 중요성이 인정되어 많은사람들의 관심을 불러 일으켰다. 바이아스 스트레스에 의한 임계전압의 변화는 주로 게이트 절연층으로의 전하포획과 관련되어 설명되고
It is well known that hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H)in thin film transistors (TFTs) show metastable changes by prolonged application ofbias voltage to the gate, which is open called as bias-stress effect. The chargetrappings in the silicon nitride (SiNx)gate insulator and th
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