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Kafe 바로가기주관연구기관 | 전자부품연구원 Korean Electronics Technology Institute |
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연구책임자 | 황성민 |
참여연구자 | 서용곤 , 주진우 , 송근만 , 남옥현 , 김태근 , 홍순구 , 송정훈 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2012-03 |
과제시작연도 | 2011 |
주관부처 | 지식경제부 Ministry of Knowledge Economy |
등록번호 | TRKO201700001180 |
과제고유번호 | 1415115474 |
사업명 | 전자정보디바이스산업원천기술개발 |
DB 구축일자 | 2017-09-20 |
키워드 | 발광다이오드.갈륨나이트라이드 성장.무분극 성장.저 저항 LED.반분극 성장. |
최종목표
최종목표
O 7mW급 무분극 LED 소자 및 에피웨이퍼 개발
- 광출력: 7mW @ 20mA, 455nm, RT, Al2O3 sub.
- Surface rms(@1umx1um): <0.6nm@ Al2O3 sub.
- Dislocation density: <1×108 #/cm2@ Al2O3 sub.
- Stacking fault density: <1×105
O 7mW급 무분극 LED 소자 및 에피웨이퍼 개발
- 광출력: 7mW @ 20mA, 455nm, RT, Al2O3 sub.
- Surface rms(@1umx1um): <0.6nm@ Al2O3 sub.
- Dislocation density: <1×108 #/cm2@ Al2O3 sub.
- Stacking fault density: <1×105 #/cm@ Al2O3 sub.
- u-GaN DCXRD FWHM @Phi scan 평균: <350 arcsec@Al2O3 sub.
- 양자우물 파장: 455±5nm@ Al2O3 sub.
- p-doping level @In0.04GaN : >2x1018
개발내용 및 결과
ㅇ사파이어기판을 이용한 무분극 LED에서 세계최고수준 광출력:
7.8mW@20mA
ㅇ 세계 최고 수준의 GaN 결정성 : c-축 방향으로 346 arcsec
ㅇ Oxide patterned 사파이어를 이용한 GaN-base LED 성장기술 개발
기술개발 배경
현재까지 개발되고 있는 조명용 백색 LED는 통상적으로 c축 방향의 사파이어 기판위에 GaN film을 성장하여 제작하지만 c축 방향의 GaN film은 원천적으로 생기는 자발분극과 압전분극 영향 때문에 양자우물에서의 밴드를 기울게 만들고 이것은 캐리어 재결합율을 감소시켜 그 결과 양자 효율을 낮춤. 이러한 근본적인 문제를 해결하기 방안은 사파이어 기판에서 c-plane이외의 결정면에서 무분극(혹은 반극성) GaN LED를 성장하여 양자효율을 극대화하여 고효율 LED를 구현할 수 있음.
핵심개발 기술의 의의
본 과제를 통하여 개발된 무분극 LED는 고품위 무분극 GaN 성장기술을 바탕으로 광출력을 효과적으로 높여 상용화 토대를 마련하였고 향후 선진사와 대등한 경쟁을 할수 있는 원천기술을 확보하였음.
적용 분야
무분극/반분극 LED용 칩은 기존의 c-plane 사파이어 기판을 이용하여 GaN을 성장하는 대신 r-plane/m-plane 사파이어 기판을 사용하는 것을 제외하고는 분극 LED의 모든 분야에 적용할 수있는 기술이고 기존의 분극 LED에서는 불가능한 고효율을 얻을 수 있는 LED 칩임.
(출처 : 기술개발사업 최종보고서 초록)
목차 Contents
과제명(ProjectTitle) : | - |
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연구책임자(Manager) : | - |
과제기간(DetailSeriesProject) : | - |
총연구비 (DetailSeriesProject) : | - |
키워드(keyword) : | - |
과제수행기간(LeadAgency) : | - |
연구목표(Goal) : | - |
연구내용(Abstract) : | - |
기대효과(Effect) : | - |
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