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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술연구원 Korea Institute Of Science and Technology |
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연구책임자 | 민석기 |
참여연구자 | 김현수 , 김용태 , 이기호 , 정지채 , 조재신 , 박승철 , 박태준 , 김종준 , 김춘근 , 홍도유 , 조훈영 , 정홍용 , 서대희 , 권대혁 , 이종찬 , 김기환 , 강복수 , 김충기 , 박영환 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1984-02 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학기술연구원 Korea Institute Of Science and Technology |
등록번호 | TRKO200200059168 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 실리콘.반도체.CZ법.ID blade.X-ray Laue 법. |
실리콘 반도체 제조 기술은 크게 분류하여 결정 결함이 없는 단결정 성장기술, 웨이프 제조기술, 재료 특성 측정 기술로 나뉘어진다. 단결정 성장방법에는 CZ(Czochralski)법과 FZ(float zone)법 등이 있다. CZ법은 현재 실리콘 단결정 제조방법으로 가장 많이 쓰이는 것으로 고순도 다결정 실리콘을 석영도가니에서 용융시켜 실리콘 종자결정과 접촉시켜 서서히 끌어올리는 방법이고 (현재 실리콘 단결정의 80% 정도가 CZ법에 의해 성장됨) FZ법은 실리콘 다결정을 막대형으로 가공하여 한쪽끝을 종자결정과 접촉시킨 후 이 부분에
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