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NTIS 바로가기주관연구기관 | 서울대학교 Seoul National University |
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연구책임자 | 김형준 |
참여연구자 | 황철성 , 김윤해 , 강상열 , 박재후 , 권오성 , 노상용 , 전인상 , 조금석 , 송재원 , 김지훈 , 오진호 , 임지은 , 임하진 , 조문주 , 김성근 , 정시화 , 박병건 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2002-11 |
과제시작연도 | 2002 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200300001831 |
과제고유번호 | 1350016392 |
사업명 | 국가지정연구실사업 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 초고유전박막.전극.확산방지막.화학기상증착.박막재료.high-k dielectric.electrode.diffusion barrier.CVD.thin film. |
1. 고유전 박막의 증착 및 특성 분석
- BST MOCVD 공정 및 열처리 공정개발 :
- BSTON Sputter 공정 개발 :
- ALD 공정을 이용한 STO 고유전 박막 개발 :
The fabricating technology of capacitors for ULSI devices is essential to next-generation DRAM in which the capacitor is used for storing data. The technology includes the MOCVD or ALD deposition method of high-k thin films and electrodes, the MOCVD deposition method of a diffusion barrier for integ
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