초록 ▼

(1) 새로운 표면제어 및 나노자석 합성용 분자전구체의 설계 및 합성
1) Mn3, Mn4, Mn6 의 새로운 Mn 전구체 합성
2) Cu2, Cu4, Ni4, Mo4 등의 다양한 전이금속 클러스터 전구체의 합성, 구조 및 자성분석
3) metal-cyanide 전구체의 합성과 구조규명
(2) 새로운 단분자 나노자석의 설계, 합성
1) 10여종의 새로운 Mn12 단분자자석의 합성, 단결정 X-선 구조분석, 자성측정 S = 10, D = 0.6;quantum hysteresis, 다양한 at relaxati

(1) 새로운 표면제어 및 나노자석 합성용 분자전구체의 설계 및 합성
1) Mn3, Mn4, Mn6 의 새로운 Mn 전구체 합성
2) Cu2, Cu4, Ni4, Mo4 등의 다양한 전이금속 클러스터 전구체의 합성, 구조 및 자성분석
3) metal-cyanide 전구체의 합성과 구조규명
(2) 새로운 단분자 나노자석의 설계, 합성
1) 10여종의 새로운 Mn12 단분자자석의 합성, 단결정 X-선 구조분석, 자성측정 S = 10, D = 0.6;quantum hysteresis, 다양한 at relaxation mechanism 분석. torque measurement의 실행 등)
2) 새로운 Mn8 단분자 자석의 발견 (temeperature dependent ac susceptibility)
3) 새로운 Mn8Fe4 단분자 자석의 합성
5) 새로운 cyanide bridged Fe4Ni2 분자자석의 발견 및 구조 자성특성 규명
(3) 단분자 나노자석 소자화
1) thiophene 기를 포함하는 Mn12 합성
2) XRD, XPS, AEM으로 Mn12 분자박막 제조의 확인
(4) ALD을 이용한 분자자석 박막제조
1) 원자층 증착법(ALD)를 이용하여 Fe(CO)s와 TCNE의 교대적층으로 Fe(TCNE), 박막제조
2) UV 조사에 의한 상온 제조 공정 확립
3) 전이금속-유기라디칼 분자자석박막 제조의 효시
(5) 나노자석의 기상제조
1) 흡습성 고체 분자전구체의 기화를 위한 장치제작 완료
2) 기상 반응 조건 조절을 위한 in situ 시료채집장치의 개발
3) Fe 나노입자 성장 과정 모델링: 5에서 100 ㎚ 까지 단계별 입자 성장 조건 파악
(6) 금속 나노입자의 제조 및 나노입자 표면제어 기술 개발
1) Fe, FeN, Fe/Ni, FeSi 나노입자의 제조 (크기 7 - 10 ㎚, 분산도 5 %)
2) 철 나노입자에 실리카 코팅 (포화자화 1.9)
3) 나노 철입자의 질화로 나노질화철입자 제조 (크기: 10 ㎚)
4) 저온플라즈마 나노입자 표면처리장치 개발

Abstract ▼

1) The synthesis of a magnetic molecule having unusually large spin value and large negative anisotropy value is an area of intensive current research, because it is the prerequisite for developing the emerging class of single-molecule magnets (SMMs). SMMs, as a prototype of nanomagnets, display int

1) The synthesis of a magnetic molecule having unusually large spin value and large negative anisotropy value is an area of intensive current research, because it is the prerequisite for developing the emerging class of single-molecule magnets (SMMs). SMMs, as a prototype of nanomagnets, display intramolecular magnetic hysteresis loop each independent molecule in these materials possesses the ability to function as a magnetizable magnet, owing to intrinsic intramolecular properties rather than intermolecular interactions and long-range ordering. Thus, SMMs are regarded as the ultimate high-density memory devices in the future. Since. the dodecanulear manganese cluster with the composition [Mn/sub 12/O/sub 12/$(O_2CMeh)/sub\; 16/(H2O)_4$] (Mn12ac) had been discovered as an single-molecule magnet, many research efforts has focused on exploring new Mn12 complexes having different alkyl or aryl substituents. Especially, it is important to control crystal symmetry of Mn12 complexes for systematic investigation on the origin of magnetic quantum tunneling of these complexes. The scarcity5 of examples of Mn12 complexes possessing higher symmetry than monoclinic system spurred us to find a new Mn12 having higher crystal symmetry. On the other hand, in the course of our efforts to explore a new class of SMM, we discovered novel Mn18 cluster complexes. Here, we report on synthesis, structure and magnetic properties of various manganese-based cluster complexes such as Mn12 and Mn18 complexes.
2) There has been growing research interest in molecule-based materials exhibiting spontaneous magnetization at high temperature, mainly because these magnetic materials have tremendous applied interest in a diversity of areas of tedmology. A major advantage of molecular magnets over conventional atom-based magnets is easiler modulation! tuning of their magnetic properties because molecule-based magnets are usually made at a low temperature via well established synthetic methods of organic chemistry. Since the first room temperature molecule-based magnet V$(TCNE)_{2}$x$CH_{2}CI_{2}$ had been synthesized via the simple reaction of molecular precursor V$(C_{6}H_{6})_{2}$ and TCNE in $CH_{2}CI_{2}$ at ambient temperature, various synthetic methods have been designed to make bulk M(TCNE)xyS magnets (S = solvents). However, M(TCNE)xyS magnets have some limitations for applications mainly due to two reasons: These materials are extremely unstable in air and their magnetic properties depend on a quantity of lattice solvent molecules. Fortunately, Miller and coworkers have found that a reaction of V$(CO)_{6}$ and TCNE in gas phase gives the solvent free V(TCNE)xmagnet which has remarkably improved in stability and magnetic properties compared to solvated material V(TCNE)2xCH2C12. On the other hand, much effort is being made to get magnetic thin filmsof molecular materials for feasible applications. Up to date, V(TCNE)x[ and Cr(TCNE)x thin film were made by chemical vapor deposition (CVD) method using V$(CO)_{6}$ and Cr$(C_{6}H_{6})_{2}$ precursor, respectively. We report here on the preparation of Fe(TCNE)2 thin film via layer-by-Iayer growth in gas phase at room temperature.

목차 Contents

• 표지 ...1
• 제출문 ...2
• 보고서 초록 ...3
• 요약문 ...4
• SUMMARY ...8
• CONTENTS ...10
• 목차 ...11
• 제 1 장 연구개발과제의 개요...12
• 제 1 절 연구개발의 목적...12
• 제 2 절 연구개발의 필요성...14
• 제 2 장 국내외 기술개발 현황...21
• 제 1 절 분자자석의 국제 기술개발 동향...21
• 제 2 절 분자자석의 국내 기술 개발 동향...22
• 제 3 장 연구개발수행 내용 및 결과...24
• 제 1 절 분자 전구체의 설계 및 합성...24
• 제 2 절 단분자 나노자성 클러스터의 설계 합성 및 유도체 화학기술 개발...27
• 제 3 절 원자층 증착법을 이용한 전이금속-유기라디칼 분자박막의 상온공정 개발...59
• 제 4 절 나노 자성입자의 제조와 기능성 부여...65
• 제 4 장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도...79
• 제 1 절 계획대비 달성도...79
• 제 2 절 대표적 성공사례...80
• 제 5 장 연구개발결과의 활용계획...84
• 제 6 장 참고문헌...85
• 특정연구개발사업 연구결과 활용계획서...86