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NTIS 바로가기주관연구기관 | 정보통신연구진흥원 Institute for Information Technology Advancement |
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연구책임자 | 이종원 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1997-06 |
등록번호 | TRKO200500022357 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
본 연구에서 주로 이용하고자 하는 반도체 cluster 박막의 용액성장법은 액상 상태에서 준안정 Precursor의 반응을 이용하는 방법으로서 II족 이온 (Cd2+, Zn2+ 등)과 VI족 이온(S2-, Te2- 등)의 반응을 이용하여 cluster를 생성시키는 방법이다. 이 방법의 장점은 비교적 낮은 온도(100℃ 미만)에서 cluster 박막을 성장시킬 수 있고 더욱이 비교적 경제적으로 대면적 박막을 성장시키게 되는 장점이 있다 하겠다.
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