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NTIS 바로가기주관연구기관 | 위덕대학교 |
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연구책임자 | 이재성 |
참여연구자 | 정영철 , 도승우 , 이대갑 , 이호선 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2007-03 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학기술정보연구원 Korea Institute of Science and Technology Information |
등록번호 | TRKO200700008128 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
1. MOSFET 게이트 절연막의 깊이 방향에 따라 선택적으로 수소 및 중수소의 농도 차이를 이룰 수 있다면 MOS 소자의 신뢰성 분야에 새로운 결과를 가져 올 수 있음.
2. 현재의 반도체 제조 기본 공정에서는 열처리 주입 방법으로 수소를 주입하고 있어 두께에 따른 농도 조절이 불가능함.
3. 본 연구에서는 저에너지 이온빔 조사 방법을 사용하여 수소나 중수소를 효과적으로 게이트 절연막내 원하는 깊이에 주입하는 방법을 시도하고자 함.
4. 이러한 목적을 위해 먼저 VLSI 공정을 사용하여 고집적 MOSFET를 제조하
This paper is focused on the improvement of MOS device reliability related to hydrogen or deuterium atoms.
In the annealing process, hydrogen or deuterium atom reaches at the gate oxide layer through upper layers, like aluminum, silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon, by diffusion mechan
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