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NTIS 바로가기주관연구기관 | 건국대학교 KonKuk University |
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연구책임자 | 박배호 |
참여연구자 | 변익수 , 황인록 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2007-08 |
과제시작연도 | 2006 |
주관부처 | 과학기술부 |
과제관리전문기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200700009770 |
과제고유번호 | 1350021800 |
사업명 | 원자력연구기반확충사업(기금) |
DB 구축일자 | 2015-01-08 |
키워드 | 전도성 전이.결함.양성자 빔.메모리.니켈 산화물.conductivity switching.defect.proton-beam.memory.NiO. |
1. Resistance Random Access Memory (RRAM)에 적용 가능한 NiO 계열 박막들에 대해서, 양성자 빔 조사 전·후에 current level과 switching voltage distribution의 변화 거동 조사.
2. RRAM용 물질이 가지는 가장 심각한 신뢰성 문제를 해결하는 방법을 모색하여 산업적으로 기여함과 동시에 RRAM용 물질에서의 전도성 전이 특성의 원인 규명에도 좋은 실험적 database를 제공하여 학술적으로도 지대한 공헌을 하게 될 것으로 기대.
3. 양성자 빔의 조사 후
In this project, we have investigated the effect of proton beam irradiation on current level and switching voltage distribution of NiO-related films which have been widely studied since they are good candidate materials applicable to resistance random access memory (RRAM).
- Among several reliabi
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