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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국전자통신연구원 Electronics and Telecommunications Research Institute |
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연구책임자 | 박경완 |
참여연구자 | 이성재 , 조원주 , 강기천 , 박종혁 , 고영조 , 김성복 , 하정숙 , 손동균 , 이철희 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2002-08 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200800067013 |
사업명 | 특정연구개발사업<국가지정연구실사업 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 반도체 나노구조.나노전자소자.양자간섭.양자관통.양자전자소자.semiconductor nanostructure.nanoelectronic device.quantum interference.quantum tunneling.quantum electronic device. |
전자의 양자수송효과를 이용하여 테라급의 고집적성과 수 100GHz의 초고속 응답 특성,
The rapid development in information processing technology based on silicon devices is the main factor behind the information revolution that we are experiencing. The performance of electronics have increased exponentially for the past four decades and the essential ingredient of progress has been t
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