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NTIS 바로가기주관연구기관 | 포항공과대학교 Pohang University of Science and Technology |
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연구책임자 | 황현상 |
참여연구자 | 이태우 , 오상호 , 최창환 |
보고서유형 | 2단계보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2018-03 |
과제시작연도 | 2017 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO201900023363 |
과제고유번호 | 1711048794 |
사업명 | STEAM연구 |
DB 구축일자 | 2020-08-01 |
키워드 | 뉴로모픽.시냅스.저항변화메모리.뉴런 소자.발화 시간 기반 가소성.크로스포인트어레이.폰노이만.멤리스터.패턴인식.Neuromorphic.Synapse.Resistive memory.Neuron device.Spike time dependent plasticity (STDP).Cross-point array.Von Neumann.Memristor.Pattern recognition. |
○ 뉴로모픽반도체소자용 고집적 나노스케일 시냅스 소자 원천 기술 개발
- 산화물계 시냅스소자: TiOx, TaOx, HfOx, WOx, CuOx, NbOx계, PCMO 등 관련 기술
- 시냅스 STDP 특성 개선, uniformity, 재현성 개선을 위한 신구조 제안
○ 시냅스 소자의 동작 메커니즘 및 전자현미경을 이용한 미세구조 분석
○ 개발된 시냅스 소자의 고집적화 기술개발
- k-bi
Ⅳ. R & D results
○ Development and characterization of synaptic device technology
○ Real-time atomic-level electron microscope analysis for identification of switching mechanism
○ Analysis of pattern recognition rate according to system parameters using neural network simulator
○ Highly
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