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NTIS 바로가기주관연구기관 | 전북대학교 Chonbuk National University |
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연구책임자 | 서은경 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2003-10 |
과제시작연도 | 2002 |
주관부처 | 과학기술부 |
과제관리전문기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200800068090 |
과제고유번호 | 1350022141 |
사업명 | 목적기초연구사업 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 질화물반도체.에너지 띠 간격.발광특성.양자점.전위.스트레인.깊은준위.불안정한 준위.III-V nitride semiconductors.carrier transport.wide band gap.heteroepitaxial growth.strain.dislocation.defects.deep levels.photoconductivity. |
본 연구에서는 넓은 띠 간격을 가지고 직접 천이형 반도체 재료인 질화물반도체를 이용한 고효율 청색 및 자외선 영역의 발광 및 수광 소자의 재현성 있는 제작을 가능하도록 하기위해 소자구조에 사용되고 있는 에피층과 양자구조를 성장하고 제어하여 이에 따라 나타나는 특성과 이를 유도하는 결함의 특성을 규명하고 제어한다.
금속유기화학기상증착장치를 사용하여 GaN, InAlGaN/InAlGaN 박막과 양자구조를 성장하고 이들을 활성층으로 하여 발광 다이오드 구조를 성장하고 이들의 전기적인 특성과 발광특성, 구조적인 특성을 분석한다. 먼저
In this study, we will investigate opticla, electrical and structural, properties and related defects in various heterostructure of III-nitride for short wavelength light emitting diode. We will establish the reliable and optimized growth condtion of n- and p-GaN epilayers, InGaN/GaN quantum well st
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