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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술연구원 Korea Institute Of Science and Technology |
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연구책임자 | 이상렬 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2007-11 |
과제시작연도 | 2006 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200800068431 |
과제고유번호 | 1350003286 |
사업명 | 특정기초연구지원 |
DB 구축일자 | 2015-01-08 |
키워드 | ZnO.p-typeLED.도핑.광대역 반도체.ZnO.p-type.LED.doping.wide bandgap semiconductor. |
최종연구목표: 고품질 ZnO 반도체 p형 도핑 기술 개발
제1차년도: 고품질 ZnO 박막 제작 및 광학 어닐링을 도입한 도핑 공정 조건 탐색
제2차년도: 광학적 어닐링 방식에 의한 p형 도핑 메카니즘 규명 및 활성화
제3차년도: ZnO p형 도핑 최적화 및 p형 ZnO 박막 구현
다양한 도펀트 활성화 기술
p-type ZnO 개발이 어려운 점은 도펀트의 활성화 에너지가 커서 ZnO 박막 내에서 억셉터로서의 역할을 제대로 하지 못하는데 있음. 본 연구에서는 이러한 도펀트들을 활성화시키기 위해 새로운 광학적
Purpose of this study : Development of novel p-type doping process for ZnO semiconductor.
1st year : Fabrication of high quality ZnO thin films and investigation on doping parameters by optical annealing process.
2nd year : Investigation on the mechanism of active p-type doping process by opti
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