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NTIS 바로가기주관연구기관 | 아주대학교 Ajou University |
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연구책임자 | 조중열 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2011-06 |
과제시작연도 | 2010 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201200002792 |
과제고유번호 | 1345120025 |
사업명 | 일반연구자지원 |
DB 구축일자 | 2013-05-20 |
키워드 | ZnO.thin-film transistor.light emission.MOCVD.ion implantation.p-type doping. |
이 연구의 최종 목표는 p-type ZnO를 성장시켜서 이미 개발되어있는 n-type ZnO와 pn접합을 만들어서 전압전류특성, 발광특성을 규명하는 것이다. p-type 도핑이 성공하기 위해서는 자연적으로 발생하는 n-type 결함을 제거해야만, 그 다음에 p-type 도핑이 작동하게되는 것이다. 우리는 일단 MOCVD로 p-type 도핑을 시도해보고, 이것이 어렵다고 결론 내려지면 MOCVD 이외의 다른 방식도 시도하려고 한다. MOCVD 이외의 도핑 방법으로는 이온주입과 RIE 플라즈마, 500℃ 이하의 저온 어닐링을 우선적으로
The final goal of this project is to realize p-type ZnO. The p-type ZnO will be combined with our existing n-type ZnO, and light emission and electrical characteristics will be measured. The main obstacle in realizing p-type ZnO is eliminating native n-type defects. We will first try MOCVD, but if i
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