초록 ▼

LSI 칩 사이의 배선장을 최단으로 접속이 가능하도록 칩에 관통전극을 형성하여 적층하는 3차원 적층 실장의 핵심 기술을 확보하는데 있다. 따라서 본 연구에서는 미세범프 형성 및 접합기술을 확립하고 고밀도 적층 실장 기술을 구축함과 동시에 최적화실장 설계 기술을 확립하여 이런 각각의 요소 기술을 확보하여 고 신뢰성의 3차원 적층 실장 프로세스를 구축하고자 한다.
$\bigcirc$ 극초단파 레이저와 반도체 박막 간의 특성 해석 및 검증
$\bigcirc$ Si 웨이퍼의 관통홀 형성 프

LSI 칩 사이의 배선장을 최단으로 접속이 가능하도록 칩에 관통전극을 형성하여 적층하는 3차원 적층 실장의 핵심 기술을 확보하는데 있다. 따라서 본 연구에서는 미세범프 형성 및 접합기술을 확립하고 고밀도 적층 실장 기술을 구축함과 동시에 최적화실장 설계 기술을 확립하여 이런 각각의 요소 기술을 확보하여 고 신뢰성의 3차원 적층 실장 프로세스를 구축하고자 한다.
$\bigcirc$ 극초단파 레이저와 반도체 박막 간의 특성 해석 및 검증
$\bigcirc$ Si 웨이퍼의 관통홀 형성 프로세스 연구
$\bigcirc$ 미세 범프 형성 및 접합 기술 확립
$\bigcirc$ 적층 실장 기술 확립
$\bigcirc$ 최적화 실장 설계 기술 확립
$\bigcirc$ 총합 조사 연구 및 시작품 평가
$\bigcirc$ 미세관통 홀형성 프로세스의 최적 조건 설정
- 극초단 펄스 레이져와 실리콘과의 상호작용 모델 구축
$\bigcirc$ 관통형 Si 칩 제작
- 레이저 어블레이션 및 DRIE 프로세스를 이용하여 SiP을 위한 Si 칩 관통 → 미세관통 홀 형성
$\bigcirc$ 비아 홀 메움 공정
- Cu를 사용하여 결함이 없는 최적 Filling 조건 확립
$\bigcirc$ 미세 범프 형성 프로세스 확립
- 전해도금법 및 솔더 페이스트의 Stencil printing, 솔더볼을 사용한 프로세스 검토 및 공정 확립
$\bigcirc$ 미세관통 전극 형성
- Sn-Cu 솔더로 메움 공정 실시하여 미세관통 홀 전극의 메움성 평가
- 전극 형성 최적 조건 설정하여 솔더 범프 전극 형성
$\bigcirc$ 적층실장 프로세스 구축
- 무플럭스 솔더링을 이용한 개별 Si 칩의 적층 프로세스 선정 및 확립
$\bigcirc$ 국 내?외의 최근 연구 동향 조사
- 최근 연구 동향 조사 파악 및 연구 성과 학회지 게재

Abstract ▼

Our purpose is to develop the key technologies of the 3-D packaging, which can minimize the interconnect length by formation through holes directly at LSI chip. Therefore, we will establish the microjoining technology and micro bumping process. In addition, we will develop the highly reliable 3-D pa

Our purpose is to develop the key technologies of the 3-D packaging, which can minimize the interconnect length by formation through holes directly at LSI chip. Therefore, we will establish the microjoining technology and micro bumping process. In addition, we will develop the highly reliable 3-D packaging process by establishing high integration technology and optimum packaging design technology for 3-D interconnection.
$\bigcirc$ Analysis of interaction between the ultra-short pulse laser and silicon
$\bigcirc$ Formation of micro through hole and observation
$\bigcirc$ Development of micro bump formation and micro-joining technology
$\bigcirc$ Development of chip stacking technology
$\bigcirc$ Development of optimal packaging design technology
$\bigcirc$ Total research and evaluate manufactures
$\bigcirc$ Establishment of optimal condition for formation of micro through hole
- Develop the model for interaction between the ultra-short pulse laser and silicon
$\bigcirc$ Manufacture of Si chip that is through-hole type
- Formation through-hole in Si chip for SiP by using laser ablation and DRIE process
$\bigcirc$ Via-hole filling process
- Establishment of undefective and optimal filling condition using Cu
$\bigcirc$ Establishment of process for the formation of micro bump
- Examination of the electrolytic plating, stencil printing and solder ball process and establishment of process
$\bigcirc$ Formation of micro through hole electrode
- Assessment of the filling property to the micro through hole by carrying out the filling process using Sn-Cu solder
- Establishing of the optimal condition for formation of micro through hole electrode, and formation of solder bump electrode
$\bigcirc$ Develop process of stacking mounting
- Selecting the stacking process of individual Si chips used the unflux soldering, and establishment
$\bigcirc$ Examination of the research trend of domestic and oversea
- Publish the research trend of domestic and oversea for high-integration 3-dimensional stacking packaging and ultra-high microsystem technology

목차 Contents

• Ⅰ. 연구계획 요약문...3
• 1. 국문요약문 ...3
• Ⅱ. 연구결과 요약문...4
• 1. 국문요약문 ...4
• 2. 영문요약문 ...5
• Ⅲ. 연구내용...6
• 1. 서론 ...6
• 2. 연구방법 및 이론 ...10
• 3. 결과 및 고찰 ...14
• 4. 결론 ...38
• 5. 인용문헌 ...40