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NTIS 바로가기주관연구기관 | 서울대학교 Seoul National University |
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연구책임자 | 윤종규 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2006-11 |
과제시작연도 | 2005 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200900069438 |
과제고유번호 | 1350015047 |
사업명 | 특정기초연구지원 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | Metal Induced Crystallization.Metal Induced Lateral Crystallization.MIC.MILC.실리콘 결정화.저온결정화.Metal Induced Crystallization.Metal Induced Lateral Crystallization.MIC.MILC.Silicon Crystallization.Low Temperature Crystallization. |
MIC, MILC현상의 메커니즘을 규명하고, 전이금속에 의한 실리콘 단결정화 현상을 원자수준의 수치해석을 통해 이해하고자 하며, MIC, MILC현상에 필요한 인자를 제시
본 연구에서는 MIC, MILC현상을 일관적으로 설명할 수 있는 모델을 심화하여, 기존 연구자들의 실험적인 결과를 일관된 관점으로 이해할 뿐 아니라, 세워진 모델을 이용하여 MIC, MILC의 주요한 인자에 대한 예측을 가능하게 하고자 하였다. 또한 모델의 이론적인 증명을 위하여 분자동역학 및 제일원리법을 이용하여 원자수준에서의 수치해석을 통해 MIC, MI
Proposal of mechanism for metal induced crystallization of amorphous Si
Atomic scale numerical analysis for metal induced amorphous Si atom rearrangement
Presentation of the criterion for MIC and MILC technique
The recent development of metal-induced crystallization(MIC) techniques repres
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