초록 ▼

MIC, MILC현상의 메커니즘을 규명하고, 전이금속에 의한 실리콘 단결정화 현상을 원자수준의 수치해석을 통해 이해하고자 하며, MIC, MILC현상에 필요한 인자를 제시
본 연구에서는 MIC, MILC현상을 일관적으로 설명할 수 있는 모델을 심화하여, 기존 연구자들의 실험적인 결과를 일관된 관점으로 이해할 뿐 아니라, 세워진 모델을 이용하여 MIC, MILC의 주요한 인자에 대한 예측을 가능하게 하고자 하였다. 또한 모델의 이론적인 증명을 위하여 분자동역학 및 제일원리법을 이용하여 원자수준에서의 수치해석을 통해 MIC, MI

MIC, MILC현상의 메커니즘을 규명하고, 전이금속에 의한 실리콘 단결정화 현상을 원자수준의 수치해석을 통해 이해하고자 하며, MIC, MILC현상에 필요한 인자를 제시
본 연구에서는 MIC, MILC현상을 일관적으로 설명할 수 있는 모델을 심화하여, 기존 연구자들의 실험적인 결과를 일관된 관점으로 이해할 뿐 아니라, 세워진 모델을 이용하여 MIC, MILC의 주요한 인자에 대한 예측을 가능하게 하고자 하였다. 또한 모델의 이론적인 증명을 위하여 분자동역학 및 제일원리법을 이용하여 원자수준에서의 수치해석을 통해 MIC, MILC 현상에 의한 비정질 실리콘의 재결정화 현상을 이해하고자 하였다.
일관된 모델로 MILC현상을 설명하고자 격자의 불일치에 의한 구동에너지의 증가로 MILC 현상을 설명하고자 한다. 이미 일차년도에서 DAM방법을 이용하여 Silicide와 Silicide 전단의 결정화된 실리콘의 격자 불일치에 의한 에너지 계산과 전단 결정화된 실리콘을 최소화하는 것이 에너지적으로 안정하다는 것을 계산에 의한 값을 통하여 제시하였다. 따라서 격자불일치에 의하여 발생하는 에너지가 MILC 현상의 구동에너지가 될 수 있다는 것을 제시할 수 있다. 특히 위에서 제시한 모델은, 전기장 인가에 의한 구동에너지의 증가를 일관적으로 설명할 수 있다. 즉 전기장 인가에 의해 국부적으로 전하가 모이게 되고, 이로 인해 격자의 불일치가 더욱 조장되거나 작게되는 현상이 발생되며 이로 인해 구동에너지가 증감이 있게 되고, 기존의 모델이 가지는 한계점을 해소할 수 있게 되었다.
이번 연구에서는 MIC, MILC현상을 일관적으로 설명할 수 있는 모델을 제시하여, 기존 연구자들의 실험적인 결과를 일관된 관점으로 이해할 뿐 아니라, 세워진 모델을 이용하여 MIC, MILC의 주요한 인자에 대한 예측을 가능하게 하고자 하였다. 또한 모델의 이론적인 증명을 위하여 분자동역학 및 제일원리법을 이용하여 원자수준에서의 수치해석을 통해 MIC, MILC 현상에 의한 비정질 실리콘의 재결정화 현상을 이해하고자 하였다.

Abstract ▼

Proposal of mechanism for metal induced crystallization of amorphous Si
Atomic scale numerical analysis for metal induced amorphous Si atom rearrangement
Presentation of the criterion for MIC and MILC technique
The recent development of metal-induced crystallization(MIC) techniques repres

Proposal of mechanism for metal induced crystallization of amorphous Si
Atomic scale numerical analysis for metal induced amorphous Si atom rearrangement
Presentation of the criterion for MIC and MILC technique
The recent development of metal-induced crystallization(MIC) techniques represented an important breakthrough in Si technology because of considerable interest in low-temperature crystallization of armorphous Si. After Hayzelden's publication of MIC at 1992, in many other studies, although many mechanisms for explaining the experimental results of MIC and MILC processes were suggested, they could not consistently explain all of the phenomena of MIC and MILC processes. This means that the role of metals and the mechanism of amorphous Si atom rearrangement is not found. Therefore, the criterion for MIC and MILC is not constructed
In this study, the reasonable model is suggested for the metal induced crystallization (MIC) and the metal induced lateral crystallization (MILC) mechanism. The phenomena of MIC and MILC process are discussed with atomic scale numerical calculations and are consistently explained by the above mechanism. Also, we can present the criterion for MIC and MILC technique.
Enhancement of MIC and MILC technique
Acquirement of the criterion for MIC and MILC technique
Enhancement of crystallization technique by theoretical atomic scale research
Enhancement of Analysis technique through computational materials science

목차 Contents

• Ⅰ. 연구계획 요약문...3
• 1. 국문요약문...3
• Ⅱ. 연구결과 요약문...4
• 1. 국문요약문...4
• 2. 영문요약문...5
• Ⅲ. 연구내용...6
• 1. 서론...6
• 2. 연구방법 및 이론...8
• 3. 결과 및 고찰...8
• 4. 결론...13
• 5. 인용문헌...13
• 6. 연구성과...14