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NTIS 바로가기주관연구기관 | 고려대학교 Korea University |
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연구책임자 | 김상식 |
참여연구자 | 김기현 , 김현석 , 김경환 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2005-07 |
과제시작연도 | 2004 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200900071824 |
과제고유번호 | 1350012560 |
사업명 | 원자력연구기반확충사업(기금) |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 중성자.핵전환.동위원소.나노선.Si.도핑.neutron.transmutation.isotope.nanowire.Si.doping. |
실리콘 반도체 나노선을 기존의 Thermal CVD (chemical vapor deposition) 방법을 이용하여 합성한 후, SEM, TEM 및 XRD 분석을 통하여 구조적 분석을 수행한다. 전기적 특성 분석을 위하여 단일 실리콘 나노선을 패터닝하여 I-V 측정 및 광전류-전압 특성을 측정한다. 구조적 특성과 전기적 특성이 수행된 고품질의 실리콘 나노선에 원자력연구소의 전문인력의 도움을 받아 원자로에서 나오는 열중성자(thermal neutron)를 3, 5, 7, 9일 조사(irradiation)하여 각각의 나노선 내에 새로
The potential applications for quantum devices would be represented with one-dimensional nano-structured materials. Recently, the trend leads to conveying wide-gap compounds semiconductor to nanowires for optoelectronic and nano-electronic devices, but there are so many problems to make the electron
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