$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

SiC 반도체 중성자 도핑 기술 개발
Development of Neutron Transmutation Doping Method for SiC Semiconductor 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국원자력연구원
Korea Atomic Energy Research Institute
연구책임자 박병건
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2019-05
과제시작연도 2018
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
등록번호 TRKO201900021773
과제고유번호 1711077756
사업명 방사선기술개발사업(R&D)
DB 구축일자 2020-05-23
키워드 중성자(핵변환) 도핑.탄화규소.전력 반도체.대용량 실리콘 단결정.중성자 조사 결함.Neutron Transmutation Doping.Si l icon Carbide.Power Semiconductor.Large Silicon Crystal.Neutron Irradiation Defect.

초록 ▼

- 온도 의존성 실리콘 단결정 핵자료 확보 및 전산모사 라이브러리 생산
- 대용량 실리콘 중성자 조사 균일도 평가
- 연구로 활용 대용량 실리콘 반도체 중성자도핑 전산모사
- SiC 반도체 중성자 핵반응 단면적 자료 확보 및 라이브러리 생산
- 연구로 전노심 모델구축 및 조사공 중성자 특성 평가
- SiC 반도체 중성자도핑 전산모사
- SiC 단결정 잉곳의 중성자 조사 특성 및 불순물 정량
- NTD-SiC 반도체 잔류 방사능 예측 및 C-14 방사능 평가
- NTD-SiC 조사결함 생성기

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 제 출 문 ... 2
  • 보고서 요약서 ... 3
  • 요약문 ... 4
  • 목차 ... 5
  • 1. 연구개발과제의 개요 ... 6
  • 가. 연구 개발의 개요 ... 6
  • 나. 연구 개발 대상의 국내·외 연구현황 ... 6
  • 다. 연구 개발의 중요성 ... 9
  • 2. 연구수행내용 및 성과 ... 13
  • 가. 연구 개발 목표 및 내용 ... 13
  • (1) 연구 개발 목표 ... 13
  • (2) 연구 개발 내용 ... 13
  • 나. 연구범위 및 연구수행 방법 ... 13
  • 다. 연구수행 내용 및 결과 ... 16
  • (1) 연구수행 내용 및 결과(요약) ... 16
  • (2) 연구수행 내용 및 결과(서술) ... 20
  • 라. 연구개발 성과 ... 57
  • (1) 연구개발 실적 ... 57
  • 3. 목표 달성도 및 관련 분야 기여도 ... 59
  • 가. 목표 ... 59
  • 나. 목표 달성여부 ... 59
  • (1) 연구개발 목표의 달성도 ... 59
  • (2) 평가의 착안점에 따른 목표달성도에 대한 자체평가 ... 60
  • 다. 목표 미달성 시 원인(사유) 및 차후대책(후속연구의 필요성 등) ... 62
  • (1) 목표 미달성 내용 ... 62
  • (2) 원인 및 차후대책 ... 62
  • (3) 후속연구의 필요성 (서술) ... 62
  • 4. 연구개발성과의 활용 계획 등 ... 63
  • 가. 12인치 대용량 실리콘의 중성자 도핑 적용가능성 평가 ... 63
  • 나. SiC 반도체의 균일 중성자 도핑 방법론 ... 63
  • 붙임. 참고문헌 ... 64
  • 끝페이지 ... 65

표/그림 (45)

참고문헌 (25)

관련 콘텐츠

저작권 관리 안내
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로