초록 ▼

실리콘 반도체 나노선을 기존의 Thermal CVD (chemical vapor deposition) 방법을 이용하여 합성한 후, SEM, TEM 및 XRD 분석을 통하여 구조적 분석을 수행한다. 전기적 특성 분석을 위하여 단일 실리콘 나노선을 패터닝하여 I-V 측정 및 광전류-전압 특성을 측정한다. 구조적 특성과 전기적 특성이 수행된 고품질의 실리콘 나노선에 원자력연구소의 전문인력의 도움을 받아 원자로에서 나오는 열중성자(thermal neutron)를 3, 5, 7, 9일 조사(irradiation)하여 각각의 나노선 내에 새로

실리콘 반도체 나노선을 기존의 Thermal CVD (chemical vapor deposition) 방법을 이용하여 합성한 후, SEM, TEM 및 XRD 분석을 통하여 구조적 분석을 수행한다. 전기적 특성 분석을 위하여 단일 실리콘 나노선을 패터닝하여 I-V 측정 및 광전류-전압 특성을 측정한다. 구조적 특성과 전기적 특성이 수행된 고품질의 실리콘 나노선에 원자력연구소의 전문인력의 도움을 받아 원자로에서 나오는 열중성자(thermal neutron)를 3, 5, 7, 9일 조사(irradiation)하여 각각의 나노선 내에 새로운 불순물 준위(defect level)을 형성한 후, 이들 준위에 의한 실리콘 반도체 나노선의 광학적 특성의 변화를 측정한다. 또한 중성자가 조사된 시료와 thermal annealing한 시료를 비교 분석하여 중성자의 조사에 의한 불순물 준위의 형성기원과 과정을 규명하고, 중성자 조사에의한 실리콘 나노선 반도체의 annealing 및 doping 방법을 모색한다. 또한, 실리콘 나노선에 중성자를 조사하여 나노선에 미치는 영향에 대해서도 알아보았다. 이러한 결과를 이론적인 계산과 비교하였다.

Abstract ▼

The potential applications for quantum devices would be represented with one-dimensional nano-structured materials. Recently, the trend leads to conveying wide-gap compounds semiconductor to nanowires for optoelectronic and nano-electronic devices, but there are so many problems to make the electron

The potential applications for quantum devices would be represented with one-dimensional nano-structured materials. Recently, the trend leads to conveying wide-gap compounds semiconductor to nanowires for optoelectronic and nano-electronic devices, but there are so many problems to make the electronic devices or optical devices. The most important thing of the problem is how we dope in nano-materials. One of the methods to solve the problem is NTD.

목차 Contents

• 제 1 장 연구개발과제의 개요...14
• 제 2 장 국내$\cdot$외 연구개발 현황...18
• 제 3 장 연구개발 수행 내용 및 결과...19
• 제 4 장 연구개발 목표 달성도 및 관련 분야에의 대외 기여도...40
• 제 5 장 연구개발결과의 활용계획...45
• 제 6 장 연구개발과정에서 수집한 해외 과학기술정보...46