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NTIS 바로가기주관연구기관 | 삼성전자(주) 종합기술원 Samsung Advanced Institute of Technology |
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연구책임자 | 박용조 |
참여연구자 | 남옥현 , 손철수 , 하경호 , 곽준섭 , 김택 , 윤석호 , 이정욱 , 조제희 , 채수희 , 최광기 , 이성남 , 성연준 , 임성진 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2004-08 |
과제시작연도 | 2003 |
주관부처 | 과학기술부 |
과제관리전문기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200900073031 |
과제고유번호 | 1350001033 |
사업명 | 국가지정연구실사업 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 질화물반도체.갈률나이트라이드.레이저 다이오드.발광 소자.화학기상증착.Nitride semiconductor.GaN.LD.LED.Pendeo.HVPE.MOCVD. |
질화물 반도체 기술은 자외선/자색/청색/녹색/백색 광소자 및 고온 고출력 전자소자를 구현하여 디스플레이 기기, 광기록 기기, 조명 기기, 센서 및 통신 기기 산업 등에서 기존 기술의 한계를 극복하여 새롭게 고부가가치를 창출할 수 있는 핵심 기술이다. 이러한 차세대 질화물 반도체 소자 개발을 위해서는 저결함 결정 성장, 저자항 P형 금속 접촉, 고효율 활성층 성장 기술의 확보가 필수적이다.
Pendeo-Epitaxy 방법을 이용하여 LD 소자 형성 영역의 전위 밀도를 1x
The wide band gap of nitride semiconductor allows the production of optical devices that can find applications at wavelengths ranging from red into ultraviolet. The commercial realization of GaN-based blue and green light emitting diodes made possible high brightness outdoor full color displays. In
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