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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국전기연구원 Korea Electrotechnology Research Institute |
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연구책임자 | 김은동 |
참여연구자 | 한민구 , 이희흥 , 성만영 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2003-10 |
과제시작연도 | 2002 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200900073151 |
과제고유번호 | 1350008979 |
사업명 | 중점국가연구개발 |
DB 구축일자 | 2015-01-08 |
4.5kV급 IGCT 소자 시작품 제작을 위해 simulation을 통한 소자 최적설계, 각각의 단위 공정조건 실험을 통한 일괄공정 조건 확보 그리고 최종적으로 4.5kV급 소자 시작품 제작을 목표로 하여 관련기술개발에 중점을 두었다.
구체적으로는 해석적인 방법에 의해 소자 설계를 위한 기본 파라메터를 결정하고, 상용 simulation software를 이용하여 공정 및 소자 특성 simulation을 수행하고, 얻어진 simulation 결과를 바탕으로 단위공정 실험을 수행하여 각 공정별 공정 조건을 확보했으며 최종적으로
The final purpose of the 1st project named 'development of 4.5kV class IGCT devices for SOC'was to design and fabricate 4.5kV/1.5kA Integrate Gate-Commutated Thyristor(IGCT) focusing on the novel device and driving unit design and process technology. The specific contents of our research are as foll
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