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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국전기연구원 Korea Electrotechnology Research Institute |
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연구책임자 | 방욱 |
보고서유형 | 연차보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2021-12 |
과제시작연도 | 2021 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202200008304 |
과제고유번호 | 1711141003 |
사업명 | 한국전기연구원연구운영비지원(R&D)(주요사업비) |
DB 구축일자 | 2022-08-13 |
키워드 | 탄화규소.전력소자.고전압 다이오드.도랑형 모스펫.인버터.SiC.power device.high voltage diode.trench MOSFET.Inverter. |
연구개발 목표 및 내용
최종 목표
대전류(>50A), 고전류밀도(>350A/cm2) SiC 전력소자 개발
- 6.5kV급 고전압 SiC diode 개발
- 1.2kV급 SiC trench MOSFET 개발
- 1.7kV급 SiC trench MOSFET 개발
- 30kW급 full SiC inverter 개발
전체 내용
- 6.5kV 고전압 구현 기술 개발 및 이를 적용한 6.5kV(2kW급 소자 제작 기술 개발
- 100A급 대전류 소자 제작을 통한 대면적화 기술 개발
- 1.
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