최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국전자통신연구원 Electronics and Telecommunications Research Institute |
---|---|
연구책임자 | 송영주 |
참여연구자 | 민봉기 , 김상훈 , 이자열 , 강진영 , 조경익 |
보고서유형 | 1단계보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2003-06 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200900073613 |
사업명 | 특정연구개발사업 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 프로세서.고속-저잡음.나노신소자.실리콘-게르마늄.반도체.processor.high-speed.low-noise.SiGe.Nano device.semiconductor. |
실리콘-게르마늄 양자채널을 이용한 반도체기술은 기존의 실리콘 반도체가 가진 동작 주파수, 전력, 잡음특성의 문제들을 용이하게 해결할 수 있는 기술임. 본 실리콘-게르마늄 반도체기술의 핵심인 에피공정 기술은 응력이 완화된 실리콘-게르마늄 버퍼기판을 만드는 기술과 양자채널을 성장하는 기술로 나눠지는데 본 과제에서 개발된 에피기술은 이 두 가지 부문에서 있어서 에피층 두께측면에서나 결함밀도 측면에서 세계에서 가장 우수한 수준임. 한편 실리콘 및 실리콘게르마늄의 선택적 에피성장 기술과 이차원 도핑을 이용한 얕은 소스/드레인 형성 기술의 가
It was shown that the present SiGe quantum-well channel nano-device technology is very promising one to solve the problems of conventional Si CMOS devices, such as operation speed,power consumption and noise limits. One of the most important parts in SiGe technology is considered to be epitaxial gro
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.