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NTIS 바로가기주관연구기관 | 고려대학교 Korea University |
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연구책임자 | 김지현 |
참여연구자 | 김홍렬 , 안재희 , 김병재 , 고건우 |
보고서유형 | 1단계보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2009-05 |
과제시작연도 | 2008 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200900073962 |
과제고유번호 | 1345075110 |
사업명 | 원자력 연구개발중 장기계획사업 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 질화갈륨.중성자.특성회복.반도체 소자.결함 생성.격자상수.Gallium Nitride.neutron.semiconductor device.defect.lattice constant. |
연구개발의 내용은 고에너지 중성자와의 충돌에 의한 AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT)의 전기적 특성분석 및 평가이다. AlGaN와 GaN 사이에서 Piezoelectric Effect 에 의해 2-Dimensional-Electron-Gas (2DEG) 라는 channel이 형성되어 빠른 전자이동이 가능하다. 이러한 소자를 제작하여 중성자와 충돌시킨 후 전기적 특성변화를 관찰하여 최종적으로는 양성자 및 중성자에 대한 내구성을 갖춘 최적화된 소자를 완성하는 것이 목적이다.
AlGaN/GaN heterostructure transistors are promising for microwave power amplifiers due to the high electron mobility in the two dimensional electron gas (2DEG) channel, their ability to operate at high power density, the high breakdown field achievable, and the good thermal conductivity when grown o
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