$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

[국가R&D연구보고서] IT 융합기술 인프라 구축
A Study on the set-up of Research Infra for IT fusion technology 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국전자통신연구원
Electronics and Telecommunications Research Institute
연구책임자 강진영
참여연구자 구진근 , 김상기 , 박종문 , 박건식 , 유성욱 , 신동석 , 이병택 , 김규열 , 박병무 , 이효현 , 이주욱 , 현영철 , 김관하
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2007-12
과제시작연도 2007
주관부처 정보통신부
연구관리전문기관 정보통신연구진흥원
Institute for Information Technology Advancement
등록번호 TRKO200900074421
과제고유번호 1445006255
사업명 정보통신연구개발사업
DB 구축일자 2013-04-18

초록

가. 최종 연구목표
정보통신용 IT 융합기술의 핵심 원천기술 개발을 위한 공동연구 환경조성과 연구 장비 공동 활용을 위한 IT융합특화 연구센터(Research Center) 구축
나. 연구수행 범위
- 모듈실험실 시설보완 기존장비 개선
- 신규장비 도입 및 설치
- 연구장비 공동활용
- 핵심.원천기술 개발 및 IP DB 구축
- IT 융합기술 관련 워크샵 및 기술교류회
나. 연구의 내용
- 모듈실험실 시설보완 및 기존장비 개선
$\cdot$ IT-BT 및 IT

Abstract

A. Final Goal
Establishment of the fusion technology research center for co-use of the research equipment and co-development of the core and basic technology of the IT fusion technologies
B. Scope
- Module laboratory set-up and existing facility improvement
- New equipment set-up
- Co

목차 Contents

  • 제 1 장 서론 ...31
  • 제 1 절 연구의 목적 ...33
  • 제 2 절 연구의 중요성 ...35
  • 제 2 장 연구 결과 ...37
  • 제 1 절 모듈실험실 조성 및 시설개선 ...39
  • 1. 청정 환경 조성 개요 ...39
  • 2. 융합기술 특화연구센터 청정실험실 조성 장기계획 ...39
  • 3. IT융합부품 모듈 실험실 조성 ...40
  • 4. 시설개선 ...41
  • 제 2 절 기존장비 개선 ...47
  • 1. HP4156 소자특성 측정장비 개선 ...47
  • 2. XRD 장비 소프트웨어 개선 ...50
  • 제 3 절 신규 나노소자용 공정장비 도입/설치 ...53
  • 1. 신규장비 도입 방안 및 절차 ...53
  • 2. 수평확산로 장비 도입 및 설치 ...54
  • 3. 고농도 이온주입 장비 도입 및 설치 ...58
  • 4. Wet station 장비 도입 및 설치 ...66
  • 5. Multi sputter 장비 도입 및 설치 ...76
  • 6. PR track 장비 도입 및 설치 ...79
  • 제 4 절 핵심기술 개발 및 IT DB 구축 ...83
  • 1. IR 스펙트로메타의 구조 및 동작원리 ...83
  • 2. 군사용 IR 센서 소자 기술 ...92
  • 3. 400V 고내압 SOI 전력 집적회로 소자기술 ...104
  • 4. 100A급 트렌치게이트 DMOS 전력 소자기술 ...114
  • 제 3 장 결론 ...125
  • 부록 ...129
  • [표 2-1] 공정별 적정 공정 조건 ...57
  • [표 2-2] 공정실험 결과 ...57
  • [표 2-3] 공정별 장비의 주요 기능과 bath의 구성 ...68
  • [표 2-4] 공정별 적정 공정 조건 및 결과 ...78
  • [표 2-5] 장비성능 검증 결과 ...82
  • [표 2-6] 공정성능 검증 결과 ...82
  • [표 2-7] 포토다이오드의 누설전류, 항복전압 및 접합정전용량 측정 결과 ...99
  • [그림 2-1] 융합기술 특화연구센터 청정실험실 조성 장기계획 도면 ...39
  • [그림 2-2] IT융합부품 모듈 실험실 ...40
  • [그림 2-3] Wet station 5대 및 부대장비 11대(6대는 지하에 설치) 배치도 ...41
  • [그림 2-4] 신규 임플란터의 각 부분 배치(구성)도 ...42
  • [그림 2-5] Sputter 및 Track 설치 위치도 ...43
  • [그림 2-6] Access Floor 구조보강 공사도 ...44
  • [그림 2-7] H-Furnace System 장비 설치공사도 ...45
  • [그림 2-8] 청정실 연구장비 전원공사 도면 ...46
  • [그림 2-9] HP4156A(semiconductor parameter analyzer) 및 HP41501A ...48
  • [그림 2-10] HP4156A 및 HP41501A 장비 개선 전/후의 실리콘 p-i-n 다이오드의 누설전류 측정 결과 비교 ...49
  • [그림 2-11] XRD 2000 소프트웨어 ...52
  • [그림 2-12] 소프트웨어를 이용한 피크리스트 ...52
  • [그림 2-13] Furnace system (E1550 HT) 구조 ...56
  • [그림 2-14] 대전류이온주입기 (E-1000) ...60
  • [그림 2-15] 대전류이온주입기 설계도 (E-1000) ...60
  • [그림 2-16] Photo wet station의 구성도 ...69
  • [그림 2-17] Etch wet station의 구성도 ...69
  • [그림 2-18] 박막용 wet station의 구성도 ...70
  • [그림 2-19] CVD wet station의 구성도 ...71
  • [그림 2-20] 후공정 wet station의 구성도 ...71
  • [그림 2-21] 신규장비 도입전의 구형장비의 배치도 ...72
  • [그림 2-22] 신규 wet station 장비의 설치 배치도 ...72
  • [그림 2-23] 확산/식각 wet station 장비 교체 전.후 ...73
  • [그림 2-24] 박막 wet station 장비 교체 전.후 ...74
  • [그림 2-25] Photo wet station 장비 교체 전.후 ...74
  • [그림 2-26] 후공정 wet station 장비 교체 전.후 ...75
  • [그림 2-27] 서비스영역의 장비 교체 전.후 ...75
  • [그림 2-28] Multi-sputter system (Varian社 3280) 구조 ...78
  • [그림 2-29] PR Track system (SmartCube-II) ...81
  • [그림 2-30] IR spectrometer의 개념도 ...83
  • [그림 2-31] 다중격자 구조의 원리 ...83
  • [그림 2-32] IR spectrometer에서 적외선 파장과 검출 위치와의 관계 ...85
  • [그림 2-33] Spectral reflectance of silver, gold, aluminum ...86
  • [그림 2-34] Bolometer를 이용한 IR detector ...86
  • [그림 2-35] Grating의 제작 방법 ...87
  • [그림 2-36] 제작된 grating의 사진 ...88
  • [그림 2-37] Detector 제작 방법 ...89
  • [그림 2-38] 제작된 detector 사진 ...90
  • [그림 2-39] Polymer bonding 과정 ...91
  • [그림 2-40] 근접 광학식 신관체계에 요구되는 PD 조립체 구조 ...92
  • [그림 2-41] $SiO_2$ 또는 $Si_3N_4$ 막 두께에 따른 반사율 계산 결과 ...94
  • [그림 2-42] 공핍층 두께에 따른 photo-responsibility 계산 ...95
  • [그림 2-43] 공핍층 두께에 따른 RC delay, drift 및 rising time 계산 ...97
  • [그림 2-44] 메탈식각 후 반반사막 상부를 관찰한 dark-field 이미지 ...98
  • [그림 2-45] 포토다이오드의 spectral response 및 simulation 결과 비교 ...100
  • [그림 2-46] 포토다이오드의 rising time 측정을 위한 시스템 구성도 ...101
  • [그림 2-47] 실리콘 포토다이오드의 rising time 측정 길과 ...101
  • [그림 2-48] Shallow trench 구조를 적용한 고전압 n-channel LDMOSFRT 단면도 ...105
  • [그림 2-49] SOI 고전압 전력 소자 구현을 위한 공정 흐름도 ...106
  • [그림 2-50] $Ld=25{\mu}m$로 설계/제작한 n-channel LDMOSFET의 Id-Vd 특성곡선 ...107
  • [그림 2-51] Trench 구조와 일반 LDMOSFET의 오프 상태 항복전압 특성 ...108
  • [그림 2-52] Trench 구조로 설계/제작한 LDMOSFET의 항복전압 특성i ...108
  • [그림 2-53] Drain n+ to n-drift 길이 변화에 따른 LDMOSFET의 항복전압 변화 ...109
  • [그림 2-54] 드레인 field plate (ELM) 길이 변화에 따른 LDMOSFET의 항복전압 특성 ...110
  • [그림 2-55] 동일 칩상에 구현된 $Ld=25{\mu}m$인 p-channel LDMOSFET의 Id-Vd 특성곡선 ...111
  • [그림 2-56] Ld 길이 변화에 따른 p-LDMOSFET의 항복전압 ...112
  • [그림 2-57] EDA 길이 변화에 따른 p-LDMOSFET의 항복전압 ...112
  • [그림 2-58] ELM 길이 변화에 따른 p-LDMOSFET의 항복전압 ...113
  • [그림 2-59] VDMOS형 전력소자와 Trench Gate DMOS의 전류흐름도 ...116
  • [그림 2-60] 설계된 셀 평면도와 이에 대응하는 Trench Gate DMOS 단면도 ...118
  • [그림 2-61] 전체 마스크 레이아웃 개략도 ...119
  • [그림 2-62] ACP소스가 장착된 APTC사의 SELEX 200 식각시스템 ...120
  • [그림 2-63] 식각 이미지 ...121
  • [그림 2-64] 식각 이미지 ...122
  • [그림 2-65] 식각 단면도 ...123
  • [그림 2-66] 식각 단면도 ...124

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로