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NTIS 바로가기주관연구기관 | 광주과학기술원 Gwangju Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 박성주 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2010-02 |
과제시작연도 | 2009 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201000012848 |
과제고유번호 | 1345099738 |
사업명 | 중견연구자지원 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 발광다이오드.광결정.표면 플라즈몬.다중양자우물구조.투명 박막트랜지스터.게이트 절연막.ZnO.light emitting diode (LED).photonic crystal.MOCVD.surface plasmon.multiple quantum well.thin film transistor (TFT).gate insulating material. |
본 과제는 p-type ZnO 박막 성장 기술 및 표면 플라즈몬/광결정 기술, ZnO 발광다이오드 개발 기술 확립 및 고투과성의 p-type ZnO 투명 박막트랜지스터 개발에 대한 연구 수행을 목적으로 함.
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