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NTIS 바로가기주관연구기관 | 고려대학교 Korea University |
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연구책임자 | 김지현 |
참여연구자 | 김홍렬 , 안재희 , 김병재 |
보고서유형 | 1단계보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2010-06 |
과제시작연도 | 2009 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201000013217 |
과제고유번호 | 1345099229 |
사업명 | 원자력연구기반확충사업 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 양성자.중성자.셀프어닐링.와이드밴드갭.갈륨질화물.proton.neutron.self-annealing.wide bandgap.GaN. |
최근들어 반도체에 대한 고에너지 양성자선의 영향에 대한 연구가 조금씩 실행되고 있으나 아직까지 중성자에 대한 연구는 거의 이루어지지 않고 있는 실정이다. 반도체 소자들 중에서 Wide Bandgap 반도체 소자(Gallium Nitride, Silicon Carbide, Zinc Oxide 등)은 이러한 고에너지 양성자 및 중성자선에 매우 강한 것으로 나타났다. 이러한 물질들로 이루어진 소자는 앞으로 위성탑재 장비의 소재부품을 대체할 것으로 예상되므로 양성자선이나 중성자선이 반도체 물질 및 반도체 소자의 특성에 미치는 영향을 정확히
Because the wide badgap semiconductor material system has potential applications in harsh environments, it is important to understand the effect and stability of the damage from neutron irradiations and the subsequent recovery by self-annealing. Neutron and proton irradiation will be performed with
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