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NTIS 바로가기주관연구기관 | 건국대학교 산학협력단 |
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연구책임자 | 박배호 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2009-04 |
과제시작연도 | 2008 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO201000013636 |
과제고유번호 | 1345074369 |
사업명 | 특정기초연구지원사업 |
DB 구축일자 | 2015-01-08 |
키워드 | 결함 제어.전자 구조.반도체 산화물.광학적 특성.전하 수송.결함 분석.Defect control.Electronic structure.Semiconducting oxide.Optical property.Charge conduction.Defect characterization. |
반도체 산화물의 결함 제어 방법, 양자역학적 제일원리계산을 이용한 전자 구조 해석 방법, 결함의 미세 구조 및 전자 구조 분석 방법을 이용하여, 반도체 산화물의 전하 수송 현상 및 전도성 전이 메커니즘을 규명하고, 이를 바탕으로 결함의 공간적 위치 및 분포를 제어하여 반도체 산화물의 전도성 전이 특성을 조절하고, 차세대 정보저장 소자에의 응용 가능성을 탐색한다.
We will find mechanisms for charge conduction and conductivity switching in semiconducting oxides through defect control, electronic structure analysis using quantum mechanical first-principles calculation, and characterization of local and electronic structures of defect. Furthermore, we will contr
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