최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기주관연구기관 | 성균관대학교 산학협력단 |
---|---|
연구책임자 | 조형균 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2009-04 |
과제시작연도 | 2006 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO201000014458 |
과제고유번호 | 1350012462 |
사업명 | 특정기초연구지원 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 산화아연 반도체.질화물 반도체.하이브리드구조.자외선 발광다이오드.에피성장.이종접합.Zinc oxide semiconductor.Nitride semiconductor.Hybrid structure.Ultra-violet light emitting diode.Epitaxial growth.Heterostructure. |
본 연구는 ZnO/GaN 하이브리드 구조를 이용하여 1)고품질의 ZnO 에피 박막 및 다층
구조 박막을 성장하고, 2)n-ZnO/p-GaN 이종접합구조로 조명용 백색광 구현에 응용가능
한 380nm 대역의 고휘도 자외선 발광소자 제작기술을 확보하고자 하였다.
The purpose of the research was to 1) grow high-quality ZnO epilayers and
multiple heterostructures using ZnO/GaN hybrid structure and 2) develop efficient
n-ZnO/p-GaN ultra-violet light emitting diodes with the wavelength of near 380nm
for white lighting application.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.