초록

Mg 몰분율 0.3이상인 ZnO/ZnMgO/GaN 고품위 다층 양자 우물층 형성 연구및 이를 이용한 365 nm급 단파장 UV LED 제작 하고자 ZnMgO의 박막을 Co-sputtering 및 PLD를 이용하여 증착하여 이에 대한 박막특성을 XRD, TEM, 광투과율, PL등을 이용하여 기본 특성을 관찰하였고 p-GaN 위에 ZnO/ZnMgO를 형성하여 LED를 제작하여 발광특성을 측정하였다

Abstract ▼

Our aims for this work are the fabrication of high quality of ZnO/ZnMgO/GaN multi quantum well heterojuction whcin has over 30% of Mg for 365 nm UV LED. ZnMgO thin films were deposited by co-sputtering and PLD. The properties were characterized by XRD, TEM, transmittance measurement, and PL. The emi

Our aims for this work are the fabrication of high quality of ZnO/ZnMgO/GaN multi quantum well heterojuction whcin has over 30% of Mg for 365 nm UV LED. ZnMgO thin films were deposited by co-sputtering and PLD. The properties were characterized by XRD, TEM, transmittance measurement, and PL. The emission properties were measured from ZnO/ZnMgO LED

목차 Contents

• 일반연구자지원사업 최종보고서(초안) ...1
• 목차 ...3
• I. 연구 계획 요약문 ...4
• 1. 국문 요약문 ...4
• II. 연구 결과 요약문 ...5
• 1. 국문 요약문 ...5
• 2. 영문 요약문 ...6
• III. 연구내용 및 결과 ...7
• 1. 연구개발과제의 개요 ...7
• 2. 국내외 기술개발 현황 ...9
• 3. 연구수행 내용 및 결과 ...13
• 4. 목표 달성도 및 관련 분야에의 기여도 ...30
• 5. 연구결과의 활용계획 ...30
• 6. 연구과정에서 수집한 해외과학기술정보 ...31
• 7. 주관연구책임자(공동연구원) 대표적 연구 실적 ...33
• 8. 참고 문헌 ...34
• 9. 연구 성과 ...35
• 10. 기타사항 ...35