초록 ▼

본 연구는 ZnO/GaN 하이브리드 구조를 이용하여 1)고품질의 ZnO 에피 박막 및 다층
구조 박막을 성장하고, 2)n-ZnO/p-GaN 이종접합구조로 조명용 백색광 구현에 응용가능
한 380nm 대역의 고휘도 자외선 발광소자 제작기술을 확보하고자 하였다.
$\circ$ ZnO 에피 박막 성장 최적화
$\circ$ MgZnO 에피 박막 성장 최적화
$\circ$ p-ZnO 에피 박막 성장 최적화
$\circ$ n-ZnO/

본 연구는 ZnO/GaN 하이브리드 구조를 이용하여 1)고품질의 ZnO 에피 박막 및 다층
구조 박막을 성장하고, 2)n-ZnO/p-GaN 이종접합구조로 조명용 백색광 구현에 응용가능
한 380nm 대역의 고휘도 자외선 발광소자 제작기술을 확보하고자 하였다.
$\circ$ ZnO 에피 박막 성장 최적화
$\circ$ MgZnO 에피 박막 성장 최적화
$\circ$ p-ZnO 에피 박막 성장 최적화
$\circ$ n-ZnO/p-GaN (or p-Si) LED 제작
$\circ$ n-ZnO/i-ZnO/p-GaN LED 제작
$\circ$ n-MgZnO/i-ZnO/p-GaN LED 제작
$\circ$ 투명 산화물 전극 이용한 LED 개발 연구

Abstract ▼

The purpose of the research was to 1) grow high-quality ZnO epilayers and
multiple heterostructures using ZnO/GaN hybrid structure and 2) develop efficient
n-ZnO/p-GaN ultra-violet light emitting diodes with the wavelength of near 380nm
for white lighting application.
$\circ$

The purpose of the research was to 1) grow high-quality ZnO epilayers and
multiple heterostructures using ZnO/GaN hybrid structure and 2) develop efficient
n-ZnO/p-GaN ultra-violet light emitting diodes with the wavelength of near 380nm
for white lighting application.
$\circ$ Optimum growth of epitaxial ZnO thin films
$\circ$ Optimum growth of epitaxial ternary MgZnO thin films
$\circ$ Optimum growth of epitaxial p-ZnO thin films
$\circ$ n-ZnO/p-GaN (or p-Si) LED fabrication
$\circ$ n-ZnO/i-ZnO/p-GaN LED fabrication
$\circ$ n-MgZnO/i-ZnO/p-GaN LED fabrication
$\circ$ LED fabrication using transparent conducting oxide

목차 Contents

• 중견연구자지원사업(핵심연구) 최종보고서 ...1
• 목차 ...2
• I. 연구계획 요약문 ...3
• 1. 국문요약문 ...3
• II. 연구결과 요약문 ...4
• 1. 국문요약문 ...4
• 2. 영문요약문 ...5
• III. 연구내용 및 결과 ...6
• 1. 연구개발과제의개요 ...6
• 2. 국내외 기술개발 현황 ...9
• 3. 연구수행 내용 및 결과 ...10
• 4. 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ...45
• 5. 연구결과의 활용계획 ...47
• 6. 연구과정에서 수집한 해외과학기술정보 ...48
• 7. 주관연구책임자 대표적 연구실적 ...51
• 8. 참고문헌 ...51
• 9. 연구성과 ...51
• 10. 기타사항 ...57