최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기주관연구기관 | 한양대학교 산학협력단 |
---|---|
연구책임자 | 심종인 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2010-08 |
과제시작연도 | 2007 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO201000014563 |
과제고유번호 | 1355050631 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 질화물계 반도체,발광소자 (LED),내부양자효율,양자선,양자점,스트레인,결정성장방향,캐리어 수송GaN semiconductor,light emitting diodes,internal quantum efficiency,quantum dot,quatum wire,crystal orientation,carrier transport |
질화물계 광반도체 소자들은 가시광선뿐만 아니라 자외선 영역까지 넓은 파장 대역을 가지고 있어 발광다이오드 (LED), 레이저 다이오드(LD), 디스플레이 및 광저장 장치 등 여러 분야에서 응용되고 있다. 질화물계 LED와 LD의 고성능화를 위하여서는 전자 및 광자의 양자화에 기반을 둔 활성층에서 발생되는 전기적 및 광학적 특성에 관한 이해가 필요하다. 본 연구에서는 청색LED로 대표되는 InGaN/GaN 양자우물구조에서 내부양자효율에 관한 이론해석, 측정기술, 구조 및 물질파라미터들이 내부양자효율에 영향, 내부양자효율을 향상시킬수
Nitride-based optoelectronic semiconductor have been utilized to various applications such as light emitting diode (LED), laser diode (LD), flat panel displays and optical data storages due to their wide bandgaps. Their ongoing development, however, requires thorough and complete understanding of el
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.