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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국전자통신연구원 Electronics and Telecommunications Research Institute |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2007-01 |
과제시작연도 | 2002 |
주관부처 | 정보통신부 Ministry of Information and Communication |
연구관리전문기관 | 정보통신연구진흥원 Institute for Information Technology Advancement |
등록번호 | TRKO201000015631 |
과제고유번호 | 1440001359 |
사업명 | 정보통신원천기술개발사업(기금) |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
실리콘 집적회로는 약 반세기동안 소자의 크기를 축소하여 단위 면적당 집적도를 지수함수적으로 향상시킴으로서 정보통신 혁명의 주역을 담당하여 왔다. 상기한 바와 같이 이러한 실리콘 집적 기술은 현재 한계에 봉착해 있다. 실리콘 칩을 구성하기 위한 제작 공정을 전공정과 후공정으로 나눌 때, 집적의 한계를 야기시키는 중요 병목 기술은 전공정에서 단위 전자소자, 즉 트랜지스터의 축소화 기술이며, 후공정에서는 배선상의 신호 지연 문제이다. 본 과제에서는 이 두 가지 병목 분야를 타파할 수 있는 신기술로서 기존의 MOSFET(Metal-Oxid
● Silicon nanoscale device research
- Schottky barrier MOSFET technology
- Device simulation technology
- Silicide/silicon interface technology
● Silicon light emitting device research
- Device research of Silicon LED
- Silicon nano-dot fabrication
- Material research for transp
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