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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술정보연구원 Korea Institute of Science and Technology Information |
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연구책임자 | 조영화 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2002-12 |
주관부처 | 정보통신부 |
과제관리전문기관 | 정보통신부 Ministry of Information and Communication |
등록번호 | TRKO201000015637 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
GaN 등의 질화물 반도체는 전자산업을 진일보시킬 수 있는 재료로 기대되고 있다. 이는 질화물 반도체가 가진 고유의 뛰어난 물리, 화학적 특성에 기인한다. 즉, 질화물반도체는 에너지 간격이 넓게 조절될 수 있기 때문에 자외선 영역에서 청/녹색까지의 발광소자(LED) 및 레이저 다이오드(LD)와 자외선 검출기(Detector) 등의 광소자 구현이 가능하다. 또한 구조적 안정성이 매우 우수하여 고온, 고출력 전자소자의 구현도 가능하다.
이러한 기대와 가능성에도 불구하고 질화물반도체가 소자로 개발되기까지는 많은 시간이 걸렸다. 그
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